专利摘要

专利摘要

本实用新型涉及导电聚合物薄膜制备领域，特别涉及一种电磁场辅助作用下制备高导电率聚合物薄膜的装置，所述装置包括用于制备聚合物薄的加工机构；以及用于产生电场的电极板组件，用于产生磁场的磁性件组件；所述电极板组件与所述磁性件组件围绕所述加工机构布置并提供电场及磁场。本实用新型在制备聚合物薄膜的过程中施加电场与磁场，可以制得分子链有序排列的聚合物薄膜，减少载流子传输过程中的散射损失，提高聚合物薄膜的导电率。

权利要求

1.一种电磁场辅助作用下制备高导电率聚合物薄膜的装置，其特征在于，包括：

用于制备聚合物薄膜的加工机构；以及

用于产生电场的电极板组件，用于产生磁场的磁性件组件；

所述电极板组件与所述磁性件组件围绕所述加工机构布置并提供电场及磁场。

2.如权利要求1所述的一种电磁场辅助作用下制备高导电率聚合物薄膜的装置，其特征在于，

所述电极板组件包括相对布置的第一电极板与第二电极板；

所述磁性件组件包括相对布置的第一磁性件与第二磁性件。

3.如权利要求2所述的一种电磁场辅助作用下制备高导电率聚合物薄膜的装置，其特征在于，

所述第一电极板与所述第二电极板分别相对安装于所述加工机构的上下侧；

所述第一磁性件与所述第二磁性件分别相对安装于所述加工机构的左右侧。

4.如权利要求3所述的一种电磁场辅助作用下制备高导电率聚合物薄膜的装置，其特征在于，

还包括密封箱体以及箱盖，所述密封箱体顶部设有开口，所述箱盖安装于所述开口处；

所述加工机构安装于所述密封箱体内部；

所述第一电极板与所述箱盖连接；

所述第二电极板与所述密封箱体底部连接；

所述第一磁性件与所述密封箱体左侧面连接；

所述第二磁性件与所述密封箱体右侧面连接。

5.如权利要求4所述的一种电磁场辅助作用下制备高导电率聚合物薄膜的装置，其特征在于，还包括支撑立柱，所述支撑立柱与所述密封箱体连接。

6.如权利要求5所述的一种电磁场辅助作用下制备高导电率聚合物薄膜的装置，其特征在于，所述支撑立柱底部设有地脚螺栓。

7.如权利要求1～6任一项所述的一种电磁场辅助作用下制备高导电率聚合物薄膜的装置，其特征在于，所述加工机构包括第一加工平台，所述加工平台上安装有旋转台。

8.如权利要求7所述的一种电磁场辅助作用下制备高导电率聚合物薄膜的装置，其特征在于，所述旋转台与转轴连接，所述转轴与电机连接驱动所述旋转台转动。

9.如权利要求1～6任一项所述的一种电磁场辅助作用下制备高导电率聚合物薄膜的装置，其特征在于，所述加工机构包括第二加工平台，所述第二加工平台上安装有加热板。

说明书

技术领域

本实用新型涉及导电聚合物薄膜制备领域，特别涉及一种电磁场辅助作用下制备高导电率聚合物薄膜的装置。

背景技术

导电聚合物又名导电高分子，于上世纪70年代进入人们的视野中，其是由具有共轭的大Π键高分子经过掺杂而得到的功能高分子材料。从1977年发现导电乙炔开始，人们陆续发现了聚苯胺、聚吡咯、聚噻吩等一系列导电聚合物。透明导电聚合物可以被应用于透明电极、发光二极管以及印刷线路板等领域，它的电导率可以通过选择不同的掺杂剂、溶剂、掺杂方法及掺杂率来控制，但与ITO等透明导电氧化物材料的电导率相比，透明导电聚合物的电导率还有较大的差距，因此急需一种高导电率聚合物薄膜制备装置与方法。

实用新型内容

基于以上问题，本实用新型提供了一种电磁场辅助作用下制备高导电率聚合物薄膜的装置。本实用新型高导电率聚合物薄膜制备装置在制备聚合物薄膜的过程中施加电场与磁场，可以制得分子链有序排列的聚合物薄膜，减少载流子传输过程中的散射损失，提高聚合物薄膜的导电率。

根据本实用新型实施例之一提供一种电磁场辅助作用下制备高导电率聚合物薄膜的装置，所述装置包括用于制备聚合物薄的加工机构；以及用于产生电场的电极板组件，用于产生磁场的磁性件组件；所述电极板组件与所述磁性件组件围绕所述加工机构布置并提供电场及磁场。

在一些实施例中，所述电极板组件包括相对布置的第一电极板与第二电极板；所述磁性件组件包括相对布置的第一磁性件与第二磁性件。

在一些实施例中，所述第一电极板与所述第二电极板分别相对安装于所述加工机构的上下侧；所述第一磁性件与所述第二磁性件分别相对安装于所述加工机构的左右侧。

在一些实施例中，所述装置还包括密封箱体以及箱盖，所述密封箱体顶部设有开口，所述箱盖安装于所述开口处；所述加工机构安装于所述密封箱体内部；所述第一电极板与箱盖连接；所述第二电极板与所述密封箱体底部连接；所述第一磁性件与所述密封箱体左侧面连接；所述第二磁性件与所述密封箱体右侧面连接。

在一些实施例中，所述装置还包括支撑立柱，所述支撑立柱与所述密封箱体连接。

在一些实施例中，所述支撑立柱底部设有地脚螺栓。

在一些实施例中，所述加工机构包括第一加工平台，所述加工平台上安装有旋转台。

在一些实施例中，所述旋转台与转轴连接，所述转轴与电机连接驱动所述旋转台转动。

在一些实施例中，所述加工机构包括第二加工平台，所述第二加工平台上安装有加热板。

根据本实用新型实施例之一提供一种电磁场辅助作用下制备高导电率聚合物薄膜的方法，所述方法包括：在施加特定场下将聚合物前驱体溶液以薄膜制备方法进行聚合物薄膜制备，其中，所述特定场至少包括电场或磁场中的一种。

在一些实施例中，所述述聚合物前驱体溶液是可溶性导电聚合物的溶液，所述可溶性导电聚合物具有单分子链或双分子链结构，所述单分子链是极性分子链，所述双分子链包括正分子链和负分子链。

在一些实施例中，所述特定场为电场，所述电场驱使所述正分子链以及所述负分子链分离运动。

在一些实施例中，所述特定场为电场，所述电场驱使所述单分子链发生极化。

在一些实施例中，所述特定场为磁场，所述磁场驱使所述正分子链以及所述负分子链分离运动，并按质荷比排布。

在一些实施例中，所述特定场为磁场，所述磁场驱使所述单分子链发生极化。

在一些实施例中，所述特定场为电场与磁场的混合场，所述电场驱使所述正分子链以及所述负分子链分离运动，所述磁场基于所述分离运动驱使所述正分子链以及所述负分子链按质荷比排布。

在一些实施例中，所述薄膜制备方法为基于溶液而制备薄膜的方法，所述基于溶液而制备薄膜的方法为刷涂、喷涂、旋涂、喷雾热解、刮涂或溶胶-凝胶中的一种或多种。

在一些实施例中，所述电场为直流电场或交流电场中的一种或者其组合，所述磁场为固定磁场或变化磁场中的一种或者其组合。

与现有技术相比，本实用新型的有益效果是：

(1)本实用新型在制备聚合物薄膜的过程中施加电场，通过电场对正分子链与负分子链的电场力，可以使得正分子链与负分子链相互分离，从而得到正分子链与负分子链相分离的聚合物薄膜，减小对载流子传输过程的阻碍作用；

(2)本实用新型在制备聚合物薄膜的过程中施加磁场，通过磁场对运动的正分子链与负分子链作用的磁场力，可以使得质荷比不同正分子链与负分子链水平并分散，最终制得正分子链与负分子链质荷比规律排布的聚合物薄膜，减小对载流子传输过程的阻碍作用；

(3)本实用新型在制备聚合物薄膜的过程中施加电场与磁场的复合场，利用正分子链与负分子链在电场中的运动，可以使得质荷比不同正分子链与负分子链运动并分散，实现正分子链、负分子链的分离运动与分散运动的协同促进过程，最终制得正分子链与负分子链分离同时按质荷比规律排布的高导电率聚合物薄膜；

(4)本实用新型在制备聚合物薄膜的过程中施加电场或磁场，利用单分子链的极化，可以使得单分子链内部的电荷分布、原子排布以及电偶极矩取向等会沿着电场、磁场方向出现择优取向，最终制得电荷、原子排布以及电偶极矩取向规整的高导电率聚合物薄膜。

附图说明

图1是根据本实用新型一些实施例所示的制备高导电率聚合物薄膜装置的示例性结构示意图。

图2是根据本实用新型一些实施例所示的制备高导电率聚合物薄膜装置的另一示例性结构示意图。

图3是根据本实用新型一些实施例所示的制备高导电率聚合物薄膜方法的示例性流程图。

图4是根据本实用新型一些实施例所示的施加电场情况下聚合物薄膜正分子链与负分子链示例性排布示意图。

图5是根据本实用新型一些实施例所示的施加磁场情况下聚合物薄膜正分子链与负分子链示例性排布示意图。

图6是根据本实用新型一些实施例所示的施加电场与磁场情况下聚合物薄膜正分子链与负分子链示例性排布示意图。

图7是根据本实用新型一些实施例所示的施加电场与磁场情况下另一聚合物薄膜正分子链与负分子链示例性排布示意图。

图8是根据本实用新型一些实施例所示的施加电场与磁场情况下聚合物薄膜单分子链示例性排布示意图。

图9是根据本实用新型一些实施例所示的以旋涂方式制备高导电率聚合物薄膜方法的示例性流程图。

其中，1旋涂平台，2基底，3聚合物前驱体溶液，4聚合物薄膜，101密封箱体，201第一磁性件，202第二磁性件，301箱盖，401第一电极板，402第二电极板，501支撑柱，601旋涂台，6011第一加工平台，6012旋转台，6013转轴，6014电机，602加热台，6021第二加工平台，6031加热板。

具体实施方式

下面详细描述本实用新型的实施例，所述实施例的示例在附图中示出。应当理解，此处所描述的具体实施方式仅仅用以解释本实用新型，并不用于限定本实用新型。

除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本实用新型的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本实用新型的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施方式的目的，不是旨在于限制本实用新型。本文所使用的术语“及/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。

图1～2是根据本实用新型一些实施例所示的制备高导电率聚合物薄膜装置的示例性结构示意图。在一些实施例中，所述制备高导电率聚合物薄膜装置包括：

用于制备聚合物薄的加工机构；其中，加工机构可以是指制备聚合物薄膜过程所需的机构。

在一些实施例中，针对聚合物薄膜制备的旋涂过程，加工机构可以是指旋涂台601，例如，如图1所示，加工机构可以包括第一加工平台6011，加工平台6011上安装有旋转台6012，旋转台6012与转轴6013连接，转轴6013与电机6014连接驱动旋转台6012转动，通过电机驱动转轴带动旋转台6012转动，使得旋转台6012带动前驱体溶液通过电磁场作用产生如图5、图7所示的正负分子链分离过程，实现在旋涂过程中正负分子链规整排布的聚合物薄膜制备过程。在一些实施例中，针对聚合物薄膜制备的干燥过程，加工机构可以是指加热台602，如图2所示，加工机构包括第二加工平台6021，第二加工平台6021上安装有加热板6022，通过加热板6022干燥前驱体溶液并在电磁场的作用下，实现干燥过程中正负分子链规整排布的聚合物薄膜制备过程。

用于产生电场的电极板组件，用于产生磁场的磁性件组件，其中电极板组件与磁性件组件围绕加工机构布置并提供电场及磁场。

在一些实施例中，电极板组件可以包括相对布置的第一电极板401与第二电极板402，以便于在第一电极板401与第二电极板402上积累正负电荷产生电场。在一些实施例中，磁性件组件可以包括相对布置的第一磁性件201与第二磁性件202，以便于第一磁性件201与第二磁性件202相对产生以直线型穿过加工机构的磁场。在一些实施例中，磁性件组件可以是电磁铁或磁铁。值得注意的是，上述关于电极板组件与磁性件组件的电极板数量与磁性件数量仅为示例性的，电极板组件与磁性件组件的电极板数量与磁性件数量还可以为更多或更少的数量，例如电极板组件可以包括三个电极板产生电场，又例如磁性件组件可以只包括一个磁性件即可产生磁场。

在一些实施例中，电极板组件与磁性件组件只需围绕加工机构布置并提供电场及磁场即可，例如，如图1与图2所示，第一电极板401与第二电极板402可以分别相对安装于加工机构的上下侧，第一磁性件201与第二磁性件202可以分别相对安装于加工机构的左右侧。值得注意的是，上述关于电极板组件与磁性件组件的布置仅为示例性的，电极板组件与磁性件组件的布置朝向还可以是其他方式，例如第一电极板401与第二电极板402可以倾斜相对布置产生倾斜的电场。

在一些实施例中，为了便于聚合物薄膜制备过程的密封，如图1以及图2所示，装置还可以包括密封箱体101以及箱盖301，密封箱体101顶部设有开口，箱盖301安装于开口处，加工机构安装于密封箱体101内部，通过箱盖301与密封箱体101实现聚合物薄膜制备过程的密封。在一些实施例中，为了便于电极板组件、磁性件组件的相对布置安装，如图1以及图2所示，第二电极板402可以与密封箱体101底部连接，第一电极板401可以与箱盖301连接，第一磁性件201可以与密封箱体101左侧面连接，第二磁性件202可以与密封箱体101右侧面连接，通过密封箱体101与箱盖301合理布置安装电极板组件、磁性件组件。在一些实施例中，装置还可以包括支撑立柱501，支撑立柱501与密封箱体101连接支撑密封箱体101。在一些实施例中，支撑立柱501底部设有地脚螺栓，以便于整体装置的稳固安装。

图3是根据本实用新型一些实施例所示的制备高导电率聚合物薄膜方法的示例性流程图。在一些实施例中，所述方法可以包括：

步骤S101，配置聚合物前驱体溶液，其中，所述聚合物前驱体溶液至少包括单分子链或双分子链中的至少一种。

聚合物前驱体溶液可以是指将某一主要成膜组分与溶剂混合的溶液。在一些实施例中，成膜组分可以至少包括单分子链或双分子链组分材料中的至少一种，其中，单分子链或双分子链组分材料可以是聚乙炔、聚吡咯、聚噻吩或聚苯胺中的一种或多种材料，例如，PEDOT:PSS、P3HT、PTAA等有机材料。在一些实施例中，分子链可以通过本体聚合、溶液聚合、悬浮聚合、乳液聚合等方式形成。在一些实施例中，溶剂可以是包括但不仅限于去离子水、醇类(甲醇、乙醇异丙醇等)、醚类(乙醚、环氧丙烷等)、酮类(丙酮、甲基丁酮等)等各类溶剂。在一些实施例中，聚合物前驱体溶液中还可以包括除成膜组分与溶剂外的用于改善界面或能级匹配的掺杂元素或添加剂。

在一些实施例中，配置聚合物前驱体溶液可以通过将主要成膜组分与溶剂混合的方法实现，例如经过混合、搅拌、超声波处理等。在一些实施例中，主要成膜组分可以是纤维状、粉末状、块状、溶液等各种形式，以PTAA聚合物前驱体溶液配置为例，可以将4mgPTAA粉末溶于氯苯中，配制成PTAA含量为2mg/mL的氯苯溶液，其中溶解过程中温度不超过60℃。

在施加特定场下将所述聚合物前驱体溶液通过制备薄膜的方法制备聚合物薄膜，其中，所述特定场至少包括电场或磁场中的一种。

在一些实施例中，特定场可以至少包括电场或磁场中的一种，例如特定场可以是电场，又例如，特定场可以磁场，再例如，特定场可以是电场与磁场组成的复合场。在一些实施例中，当特定场是电场与磁场组成的复合场时，电场与磁场的方向可以相同，也可以不同。在一些实施例中，电场是可以是直流电场也可以是交流电场，磁场可以是固定的磁场也可以是随时间变化的磁场。在一些实施例中，电场和磁场作用可以是电场和磁场共同作用也可以是先电场作用后磁场作用或先磁场作用后电场作用，还可以电场、磁场的交叉式作用(例如：电、磁、电，磁、电、磁等)。

在一些实施例中，制备薄膜的方法可以是制备薄膜的方法为刷涂、喷涂、旋涂、喷雾热解、刮涂或溶胶-凝胶中的一种或多种。在一些实施例中，制备薄膜的方法可以是在基底上实现的，其中基底可以是石英玻璃、硅、金属(铝、铜等)、柔性基底(聚丙烯、聚酰亚胺、聚碳酸酯等)等各类基底。在一些实施例中，特定场可以在制备薄膜过程中某一步或几步施加。在一些实施例中，特定场可以是在制备薄膜过程(例如旋涂过程中)中施加。在一些实施例中，特定场可以是在制备薄膜的成膜过程(例如干燥、退火处理)中施加。在一些实施例中，特定场可以是在制备薄膜过程的整个过程(例如旋涂过程、干燥、退火处理过程)中施加。

在一些实施例中，特定场可以是电场，以图4为例，其中电场可以驱使所述正分子链以及所述负分子链分离运动，原始聚合物前驱体溶液中的正分子链与负分子链无规律排序，正分子链与负分子链链相互交叉，同时质荷比不同的正分子链与负分子链无规律排序，而在制备薄膜的过程中施加垂直方向的电场，通过电场对正分子链与负分子链的电场力，可以使得原始聚合物前驱体溶液中的正分子链与负分子链相互分离，从而得到正分子链与负分子链相分离的聚合物薄膜，减小对载流子传输过程的阻碍作用，进而提高载流子的传输效率。值得注意的是，图4中所示的电场方向仅为示例性的，电场方向也可以为其他方向，例如水平方向、倾斜方向等。

在一些实施例中，特定场可以是磁场，其中磁场可以驱使所述正分子链以及所述负分子链分离运动，并按质荷比排布，以图5为例，原始聚合物前驱体溶液中包含无规律排序且相互交叉的正分子链与负分子链，而在制备薄膜的过程中施加水平方向的磁场，同时给予聚合物前驱体溶液的物理运动，通过磁场对运动的正分子链与负分子链作用的磁场力，可以使得质荷比不同正分子链与负分子链水平运动并分散，又由于正分子链与负分子链水平的运动，产生作用于正分子链与负分子链作垂直方向的磁场力，使得正分子链与负分子链分离，最终制得正分子链与负分子链分离、质荷比规律排布的聚合物薄膜，减小对载流子传输过程的阻碍作用，同时为载流子的传输提供“平坦”的通道，进而提升聚合物薄膜的导电率。在一些实施例中给予聚合物前驱体溶液的物理运动可以通过制备薄膜的方法实现，例如以旋涂方法驱使合物前驱体溶液产生物理运动。在一些实施例中，给予聚合物前驱体溶液的物理运动还可以通过转动制备薄膜的基底实现，例如，如图9所示，通过旋涂平台实现。值得注意的是，图5中所示的磁场方向仅为示例性的，磁场方向也可以为其他方向，例如水平方向、倾斜方向等。

在一些实施例中，特定场可以是具有不同方向的电场与磁场组成的复合场，其中电场驱使所述正分子链以及所述负分子链分离运动，所述磁场基于所述分离运动驱使所述正分子链以及所述负分子链按质荷比排布，以图6为例，原始聚合物前驱体溶液中包含无规律排序且相互交叉的正分子链与负分子链，而在制备薄膜的过程中施加垂直方向的电场与水平方向的磁场，电场作用于正分子链与负分子链的电场力驱使正分子链与负分子链进行上下运动并分离，又由于分子链与负分子链的上下运动，磁场对正分子链与负分子链产生水平方向的磁场力，使得质荷比不同正分子链与负分子链水平运动并分散，最终制得正分子链与负分子链分离、质荷比规律排布的聚合物薄膜，减小对载流子传输过程的阻碍作用，同时为载流子的传输提供“平坦”的通道，进而提升聚合物薄膜的导电率。值得注意的是，图6中所示的磁场方向与电场方向仅为示例性的，磁场方向与电场方向也可以为其他方向，例如倾斜方向等，只需保证磁场与电场方向不同，电场的方向具有垂直于磁场方向的分量即可。

在一些实施例中，特定场可以是具有相同方向的电场与磁场组成的复合场，其中电场驱使所述正分子链以及所述负分子链分离运动，所述磁场基于所述分离运动驱使所述正分子链以及所述负分子链按质荷比排布，以图7为例，原始聚合物前驱体溶液中包含无规律排序且相互交叉的正分子链与负分子链，而在制备薄膜的过程中施加垂直方向的电场与磁场，同时给予聚合物前驱体溶液的物理运动，通过电场对运动的正分子链与负分子链作用的电场力，可以使得正分子链与负分子链分离，同时又由于聚合物前驱体溶液的物理运动，通过磁场对运动的正分子链与负分子链作用的磁场力，使得质荷比不同正分子链与负分子链水平运动并分散，最终制得正分子链与负分子链分离、质荷比规律排布的聚合物薄膜，减小对载流子传输过程的阻碍作用，同时为载流子的传输提供“平坦”的通道，进而提升聚合物薄膜的导电率。在一些实施例中给予聚合物前驱体溶液的物理运动可以通过制备薄膜的方法实现，例如以旋涂方法驱使合物前驱体溶液产生物理运动。在一些实施例中，给予聚合物前驱体溶液的物理运动还可以通过转动制备薄膜的基底实现，例如，如图9所示，通过旋涂平台实现。值得注意的是，图7中所示的磁场方向与电场方向仅为示例性的，磁场方向与电场方向也可以为其他方向，例如水平、倾斜方向等。

在一些实施例中，聚合物前驱体溶液可以包括单分子链，以图8为例，原始聚合物前驱体溶液中包含多个单分子链，而在制备薄膜的过程中施加电场或磁场，可以使得单分子链产生极化现象，例如电子极化、原子极化、取向极化，使得分子内部的电荷分布、原子排布以及电偶极矩取向等会沿着电场、磁场方向出现择优取向，最终制得电荷、原子排布以及电偶极矩取向规整的聚合物薄膜。

在一些实施例中，制备得到的聚合物薄膜可以用于需要导电性材料的电子产品，例如聚合物薄膜用于太阳能电池的功能层(例如导电层、电子传输层、空穴传输层等)。值得注意是的，上述关于聚合物薄膜应用仅仅是示例性的，聚合物薄膜还可以应用至除太阳能电池外的其他领域，例如，聚合物薄膜可以用于发光二极管的阳极材料、超级电容器的电极材料、柔性可穿戴光电子产品等领域。

图9是根据本实用新型一些实施例所示的以旋涂方式制备高导电率聚合物薄膜方法的示例性流程图。其中，以旋涂方式制备高导电率聚合物薄膜方法可以包括：

S701：将PEDOT:PSS水溶液经过超声波水浴20分钟，使其更加均匀，然后使用过滤器过滤，得到PEDOT:PSS聚合物前驱体溶液3；

S702：以2cm×2cm的白玻璃为基底2，将白玻璃用清洗剂、去离子水、乙醇、丙酮、异丙醇分别超声清洗20分钟，使用氮气将其吹干，并在使用前置于紫外臭氧仪器中处理15分钟；

S703：使用移液枪移取100微升PEDOT:PSS聚合物前驱体溶液3，将其铺满在白玻璃基底2上，白玻璃基底2固定于旋涂平台1上；

S704：对白玻璃基底2和PEDOT:PSS聚合物前驱体溶液3施加电场和磁场，电场强度为4kV/cm，磁场强度为2T，磁场和电场相互垂直，并且均与基底2垂直，磁场和和电场存在空间范围应在正、负极板之间；

S705：启动旋涂平台1，3000转旋涂30秒，PEDOT:PSS聚合物前驱体溶液3中带正电的PEDOT分子链和带负电的PSS分子链将在电场力和磁场力的共同作用下向不同方向运动，并且不同质荷比的分子链其所受到的电场力和磁场力大小不同，使得分子链按一定规律排列，因此，所制备的聚合物薄膜4在一定区域范围内，质荷比相近的分子链，由此所得到得聚合物薄膜4，电子在其内传输时，受到的阻力更小；

S706：在100℃的热台上退火30分钟以形成稳定的PEDOT:PSS聚合物薄膜4，退火过程也在电场与磁场作用下进行。

如上即为本实用新型的实施例。上述实施例以及实施例中的具体参数仅是为了清楚表述实用新型人的实用新型验证过程，并非用以限制本实用新型的专利保护范围，本实用新型的专利保护范围仍然以其权利要求书为准，凡是运用本实用新型的说明书及附图内容所作的等同结构变化，同理均应包含在本实用新型的保护范围内。

一种电磁场辅助作用下制备高导电率聚合物薄膜的装置专利购买费用说明

Q：办理专利转让的流程及所需资料

A：专利权人变更需要办理著录项目变更手续，有代理机构的，变更手续应当由代理机构办理。

1：专利变更应当使用专利局统一制作的“著录项目变更申报书”提出。

2：按规定缴纳著录项目变更手续费。

3：同时提交相关证明文件原件。

4：专利权转移的，变更后的专利权人委托新专利代理机构的，应当提交变更后的全体专利申请人签字或者盖章的委托书。

Q:专利著录项目变更费用如何缴交

A：（1）直接到国家知识产权局受理大厅收费窗口缴纳,（2）通过代办处缴纳，（3）通过邮局或者银行汇款,更多缴纳方式

Q：专利转让变更，多久能出结果

A：著录项目变更请求书递交后，一般1-2个月左右就会收到通知，国家知识产权局会下达《转让手续合格通知书》。