专利摘要

本发明提供一种光子晶体中纳米直孔周期性阵列制备方法，该方法可以快速实现纳米级光子晶体中直孔阵列的自定位周期性制备。该方法包括以下步骤：首先选择材料，接着制备样品，在硅片上PECVD淀积氮化硅，接着进行光刻，再用离子束轰击去除图形区的氮化硅，然后进行第一次电化学腐蚀，氧化形成多孔硅衬底POPS，化学机械抛光、KOH溶液腐蚀形成倒金字塔尖端，最后进行第二次电化学腐蚀制备具有周期性且具有自定位功能的纳米直孔阵列。上该方法易于操作，处理简单，适合大批量快速纳米级周期性孔制备，该方法制备的纳米孔定位更精确。

专利附图

一种光子晶体中纳米直孔周期性阵列制备方法专利购买费用说明

Q：办理专利转让的流程及所需资料

A：专利权人变更需要办理著录项目变更手续，有代理机构的，变更手续应当由代理机构办理。

1：专利变更应当使用专利局统一制作的“著录项目变更申报书”提出。

2：按规定缴纳著录项目变更手续费。

3：同时提交相关证明文件原件。

4：专利权转移的，变更后的专利权人委托新专利代理机构的，应当提交变更后的全体专利申请人签字或者盖章的委托书。

Q:专利著录项目变更费用如何缴交

A：（1）直接到国家知识产权局受理大厅收费窗口缴纳,（2）通过代办处缴纳，（3）通过邮局或者银行汇款,更多缴纳方式

Q：专利转让变更，多久能出结果

A：著录项目变更请求书递交后，一般1-2个月左右就会收到通知，国家知识产权局会下达《转让手续合格通知书》。