专利摘要

专利摘要

本实用新型公开了一种接近接触式光刻真空曝光工件台装置，该装置用于光刻机中实现基片与掩模板之间实现真空曝光。该装置以掩模板为水平基准，利用第一升降驱动机构带动三点弹性支撑机构、承片台、基片上升，基片与基准掩模板接触调平后，气动及控制机构锁紧三点弹性支撑机构，同时第一升降驱动机构停止上升。然后第二升降驱动机构带动真空腔室上升并与掩模架下表面接触形成密封腔体，接着对腔体进行抽真空，从而实现样片与掩模板在真空的环境下进行曝光，提高曝光的分辨率与曝光线条的均匀性。

权利要求

1.一种接近接触式光刻真空曝光工件台装置，其特征在于：包括掩模板(1)、掩模架(2)、基片(3)、承片台(4)、正压通气孔(18)、三点弹性支撑机构(5)、锁紧气缸(19)、弹性气囊(21)、第一升降驱动机构(6)、真空腔室(7)、第二升降驱动机构(8)、旋转运动台(22)、Y向运动台(9)、X向运动台(20)、负压输入端(11)、电控阀门(12)、正压输入端(10)、控制电路板(13)、主控制器(14)、第一密封圈(15)、第二密封圈(16)和负压抽气孔(17)；其中：

所述掩模板(1)位于掩模架(2)上方并固接；所述掩模架(2)上表面布有真空槽，用于吸附固定掩模板(1)；所述承片台(4)设置有真空槽，用于吸附固定基片(3)；所述三点弹性支撑机构(5)与承片台(4)通过柔性铰链连接，用于基片(3)与掩模板(1)调平；所述升降驱动机构包括第一升降驱动机构(6)和第二升降驱动机构(8)，分别用于基片(3)的Z向运动和真空腔室(7)的Z向运动；所述第一升降驱动机构(6)中嵌有一个弹性气囊(21)，用于通过三点弹性支撑机构(5)给基片(3)均匀的调平压力；所述锁紧气缸(19)，用于锁紧三点弹性支撑机构(5)；所述正压输入端(10)经过电控阀门(12)分别与锁紧气缸(19)和第二升降驱动机构(8)、承片台(4)正压通气孔(18)连接；所述负压输入端(11)通过电控阀门(12)分别于掩模架(2)和承片台(4)连接；控制电路板(13)分别与电控阀门(12)和主控制器(14)连接；所述第一密封圈(15)嵌入在第一升降驱动机构(6)、真空腔室(7)之间；所述第二密封圈(16)嵌入在真空腔室(7)的上表面，负压抽气孔(17)与空腔室(7)连通；所述第一升降驱动机构(6)与旋转运动台(22)、X向运动台(20)和Y向运动台(9)连接。

2.根据权利要求1所述一种接近接触式光刻真空曝光工件台装置，其特征在于：所述掩模架(2)为水平基准面，上表面布有真空槽，通过负压将掩模板(1)固定于掩模架(2)上方方，但不限于以上模板固定机构，如机械卡紧结构。

3.根据权利要求1所述一种接近接触式光刻真空曝光工件台装置，其特征在于：所述三点弹性支撑机构(5)通过柔性铰链与承片台(4)连接，并沿径向以120°夹角均匀分布，可以实现样片与掩模板(1)之间的调平。

4.根据权利要求1所述一种接近接触式光刻真空曝光工件台装置，其特征在于：第一升降驱动机构(6)中嵌有一个弹性气囊(21)，弹性气囊(21)中充有恒定压力的气体，弹性气囊(21)与三点弹性支撑机构(5)连接，可实现三点弹性支撑机构(5)给基片(3) 提供均匀的调平压力；通过改变弹性气囊(21)气压大小，可以随时调节基片(3)与掩模板(1)的调平力大小。

5.根据权利要求1所述一种接近接触式光刻真空曝光工件台装置，其特征在于：所述真空腔室(7)通过第一密封圈(15)和第二密封圈(16)在第二升降驱动机构(8)的驱动下，使得基片(3)与掩模板(1)处于一个密封的腔体里面，负压抽气孔(17)通负压，基片(3)与掩模板(1)处于一个真空的环境下，从而实现真空曝光。

6.根据权利要求1所述一种接近接触式光刻真空曝光工件台装置，其特征在于：所述第一升降驱动机构(6)的外轮廓与真空腔室(7)的内轮廓为圆弧面，两者之间过盈配合着第一密封圈(15)，保证真空腔室(7)上下运动时，两者之间具有良好的密封性，第二密封圈(16)高出真空腔室(7)上表面0.8mm，第一密封圈(15)和第二密封圈(16)材料为硅胶材料。

7.根据权利要求1所述一种接近接触式光刻真空曝光工件台装置，其特征在于：基片(3)与掩模板(1)之间X、Y、θ向的相对运动。

8.根据权利要求1所述一种接近接触式光刻真空曝光工件台装置，其特征在于：所述第一升降驱动机构(6)、第二升降驱动机构(8)为用电机、气缸之一驱动；所述电控阀门(12)、锁紧气缸(19)、第一升降驱动机构(6)、第二升降驱动机构(8)的动作都由主控制器(14)驱动控制。

9.根据权利要求1所述一种接近接触式光刻真空曝光工件台装置，其特征在于：所述主控制器(14)选用微控制器、单片机之一。

一种接近接触式光刻真空曝光工件台装置专利购买费用说明

Q：办理专利转让的流程及所需资料

A：专利权人变更需要办理著录项目变更手续，有代理机构的，变更手续应当由代理机构办理。

1：专利变更应当使用专利局统一制作的“著录项目变更申报书”提出。

2：按规定缴纳著录项目变更手续费。

3：同时提交相关证明文件原件。

4：专利权转移的，变更后的专利权人委托新专利代理机构的，应当提交变更后的全体专利申请人签字或者盖章的委托书。

Q:专利著录项目变更费用如何缴交

A：（1）直接到国家知识产权局受理大厅收费窗口缴纳,（2）通过代办处缴纳，（3）通过邮局或者银行汇款,更多缴纳方式

Q：专利转让变更，多久能出结果

A：著录项目变更请求书递交后，一般1-2个月左右就会收到通知，国家知识产权局会下达《转让手续合格通知书》。