专利摘要

本发明公开了一种量子阱红外圆偏振探测器，其结构包括金属反射镜、量子阱红外光电转换激活层、大周期金属光栅、小周期亚波长金属光栅、二维金属超表面，其中大周期金属光栅、小周期亚波长金属光栅和二维金属超表面嵌埋在对工作波段透明的介质层中。本发明利用二维金属超表面和小周期亚波长金属光栅形成选择转换腔，可选择透射特定类型圆偏振光并将其转换为相应的线偏振光；大周期金属光栅与金属反射镜形成等离激元微腔，将经过选择转换腔的光子电矢量方向由x方向转换为z方向，使其能够被量子阱子带跃迁吸收实现光电转换。同时微腔有效增强量子阱红外光电转换激活区的电场强度，进一步增强对光子的吸收，从而实现探测器对圆偏振光的选择和探测。

权利要求

1.一种量子阱红外圆偏振探测器，其特征在于：

所述的探测器结构为：在金属反射镜(1)上依次有量子阱红外光电转换激活层(2)、大周期金属光栅(3)、小周期亚波长金属光栅(4)、二维金属超表面(5)，其中大周期金属光栅(3)、小周期亚波长金属光栅(4)和二维金属超表面(5)嵌埋在对工作波段透明的介质层(6)中；大周期金属光栅(3)与小周期亚波长金属光栅(4)之间间距为s1，数值不大于探测入射光在对工作波段透明的介质层(6)中的等效波长；小周期亚波长金属光栅(4)与二维金属超表面(5)之间间距为s2，形成圆偏振光的选择转换腔，根据法布里-珀罗共振条件，s2的数值与探测入射光波长成正比；

所述的金属反射镜(1)是一层厚度为h1的完整的金属反射层，其厚度h1不小于以微米为单位的探测波长的平方根的0.0096倍，其材质为高导电性的金或者银或者铝或者铜或其合金；

所述的量子阱红外光电转换激活层(2)为单层或者多层半导体量子阱光电转换功能材料，其成分为GaAs/AlGaAs或InGaAs/InAlAs/InP或InGaAs/GaAs，其厚度h2不大于探测入射光在该层的等效波长的二分之一；

所述的大周期金属光栅(3)是指周期为p1，栅条宽度为w1，高度为h3的一维周期排列的金属光栅，其材质为高导电率的金或者银或者铝或者铜或其合金，栅条宽度w1的数值为探测波长的十分之一到十分之十，周期p1的数值为探测波长的十分之一到十分之三十，厚度h3不小于以微米为单位的探测波长的平方根的0.0096倍；

所述的小周期亚波长金属光栅(4)是指周期为p2，栅条宽度为w2，高度为h4的一维周期排列的金属光栅，材质为高导电率的金或者银或者铝或者铜或其合金；小周期亚波长金属光栅(4)的周期p2不大于探测入射光在所嵌埋对工作波段透明的介质层(6)中的等效波长，栅条宽度w2与周期p2之比在0.2-0.8之间，厚度h4不小于以微米为单位的探测波长的平方根的0.0096倍；

所述的二维金属超表面(5)是指具有圆偏转化特性的超材料，以周期为p3的二维S形阵列为例，其材质为高导电率的金或者银或者铝或者铜或其合金；各单元由三段长为ls线条和两个内径为hs的半圆弧组成S形，线条和半圆弧的宽均为ws，高度均为h5；各单元S形相较x轴方向旋转角度为θ；二维S形阵列(5)的周期p3的数值是大周期金属光栅(3)周期p1的1/n，n为整数，且二维S形阵列(5)的周期p3的数值为探测入射光在对工作波段透明的介质层(6)中等效波长的三分之一到二分之一；二维S形阵列(5)中各单元相较x轴旋转一定角度θ＝45°，ls与hs不大于周期p3的十六分之三，线条宽度ws不大于hs的二分之一，高度h5不小于以微米为单位的探测波长的平方根的0.0096倍。

2.根据权利要求1所述的量子阱红外圆偏振探测器，其特征在于：所述的对工作波段透明的介质层(6)材料为对探测入射光波长透明的介质材料，氟化钙或者氟化钡或者硫化锌或者硒化锌或者锗或者硅。

说明书

技术领域

本发明涉及一种红外圆偏振探测器，具体涉及一种量子阱红外圆偏振探测器。

背景技术

当自然光与物质相互作用后，会在折射光、反射光、散射光以及热辐射中引入与物质特性(如粗糙度、材料、含水度等)相关的偏振态。因此，偏振成像不仅能够有效识别传统强度成像无法或难以分辨的低对比度目标，还能够凸显出目标物体的轮廓特征，在地面及空间遥感、矿物勘探、指纹识别、医学诊断、烟雾气候环境下的导航、伪装识别、海面和水下目标的探测与识别等方面有着传统技术不具备的优势，是一种新的信息分析手段。

光的偏振状态可分为线偏振态和圆偏振态。目前，对于圆偏振特性测量最常见的方法是采用在探测器前加线偏振片和四分之一波片，通过旋转偏振片或四分之一波片来实现的。但该方法需要通过机械旋转，单次测量只能获取单一偏振态的信息。而且由分立系统组成，体积大且稳定性差，同时受材料的限制，很难找到合适的工作在中、长波红外的四分之一波片。为了实现实时和动态目标的观测，人们提出将不同方向的线偏振和圆偏振元件与探测器阵列集成形成全Stokes矢量偏振探测器，相较于传统分立偏振探测技术，系统更紧凑、稳定性和可靠性更高，被认为是偏振探测的高级形式。因此，像元级单片集成偏振光探测器是偏振成像器件发展的必由之路。

在可见波段，目前大多采用胆甾相液晶与相位延迟片和CCD阵列集成来实现像元级的偏振探测。而在液晶分子不适用的红外波段，大多数报道还是集中在集成线偏振探测器上，关于集成圆偏振探测器，目前仅有Li等人基于手性等离激元微腔结构实现了1.2-1.5μm近红外波段的热电子发射型圆偏振探测器，见Li W,Coppens Z J,Besteiro L V,etc.Circularly polarized light detection with hot electrons in chiralplasmonic metamaterials,Nature Communications,6,8379,2015，中长波红外波段目前尚未见到相关报道。

量子阱探测器相较常见的碲镉汞探测器具有材料均匀性好，可以通过组分调节实现多色和更长波段(相较碲镉汞探测器)的优点，而且，量子阱器件的工作机理是基于量子阱子带间跃迁，受到量子跃迁定则的限制，仅有电场垂直于量子阱平面的入射光才能被量子阱吸收从而产生电子跃迁，因此具有天然的电子态线偏振选择效应。而目前已有的量子阱探测器，均只能实现对线偏振的识别，对圆偏振光则不具有分辨能力，如中科院上海技术物理研究所李志锋等人提出的等离激元微腔耦合结构的高线性偏振度量子阱红外探测器(发明专利申请号：201410021014.1)。

发明内容

本发明的目的在于提出一种量子阱圆偏振探测器，解决传统探测器无法分辨不同红外圆偏振光的问题。这种量子阱圆偏振探测器的实现将为中长波红外、甚至太赫兹波段的圆偏探测的提供重要的器件物理和技术基础。

本发明的量子阱圆偏振探测器，如图1所示，其结构由下到上依次为：金属反射镜1、量子阱红外光电转换激活层2、大周期金属光栅3、小周期亚波长金属光栅4、二维金属超表面5，其中大周期金属光栅3、小周期亚波长金属光栅4和二维金属超表面5嵌埋在对工作波段透明的介质层6内。

所述的金属反射镜1是一层厚度为h1的完整的金属反射层，h1不小于电磁波在金属中趋肤深度的2倍。在中远红外波段，根据电磁波理论可以得到电磁波在金属中的趋肤深度约为0.0048×λ1/2，因此金属反射镜1的厚度h1不小于以微米为单位的探测波长的平方根的0.0096倍，其材质包括但不限于高导电性的金或者银或者铝或其合金。

所述的量子阱红外光电转换激活层2是指能够吸收入射光子并通过导带子带间跃迁实现光电转换的半导体量子阱薄膜材料，由单个或多个量子阱夹持在势垒层中形成。其成分材料包括但不限于GaAs/AlGaAs或InGaAs/InAlAs/InP或InGaAs/GaAs。量子阱红外光电转换激活层2的厚度h2不大于探测入射光在该层的等效波长(即真空中的光波长除以该层的折射率)的二分之一，具体厚度根据探测波长通过理论计算优化得到，优化的目标是使进入耦合微腔中的电磁波形成驻波模式达到最强。

所述的大周期金属光栅3是指周期为p1，栅条宽度为w1，高度为h3的一维周期排列的金属光栅，其材质包括但不限于高导电率的金或者银或者铝或者铜。其周期p1，栅条宽度w1，高度h3根据探测入射波长通过理论计算优化决定，优化的目标是使进入耦合微腔中的电磁波形成驻波模式达到最强。对于等离激元微腔的驻波模式，栅条宽度w1和探测入射光在量子阱红外光电转换激活层2中的等效波长λ之间满足w1＝kλ/2n的关系，其中k为驻波模式阶数，n为量子阱红外光电转换激活层2中激活材料的折射率。针对中远红外波段(2.5-25μm)，理论计算给出以下尺寸参数设计范围：栅条宽度w1的数值为探测波长的十分之一到十分之十，周期p1的数值为探测波长的十分之一到十分之三十，厚度h3不小于以微米为单位的探测波长的平方根的0.0096倍。

所述的小周期亚波长金属光栅4是指周期为p2，栅条宽度为w2，高度为h4的一维周期排列的金属光栅，其周期p1小于探测入射光在所嵌埋对工作波段透明的介质层6中的等效波长，栅条宽度w2小于周期p2，厚度h4不小于以微米为单位的探测波长的平方根的0.0096倍，材质包括但不限于高导电率的金或者银或者铝。周期p2与探测入射波长相差越多，对线偏振光的消光比(即电场垂直于栅条方向线偏振光透过率与电场平行于栅条方向线偏振光透过率之比)越高。栅条宽度w2与周期p2之比越大，线偏振光的消光比越高，但电场垂直于栅条方向线偏振光透过率越小，因此，为了同时兼顾器件消光比与光学效率，要求栅条宽度w2与周期p2之比在0.2-0.8之间。

所述的二维金属超表面5，以S形阵列为例，是指周期为p3的二维S形阵列，其材质包括但不限于高导电率的金或者银或者铝。各单元由三段长为ls线条和两个内径为hs的半圆弧组成S形，线条和半圆弧的宽均为ws，高度均为h5。各单元S形相较x轴方向旋转角度为θ。

所述的对工作波段透明的介质层6材料为对探测入射光波长透明的介质材料，包括但不限于氟化钙或者氟化钡或者硫化锌或者硒化锌或者锗或者硅。大周期金属光栅3与小周期亚波长金属光栅4之间间距为s1，数值不大于探测入射光在对工作波段透明的介质层6中的等效波长，为减小光在对工作波段透明的介质层6中的损耗，s1数值应尽量小。小周期亚波长金属光栅4与S形阵列5之间间距为s2，根据法布里-珀罗共振条件，s2的数值与探测入射光波长成正比。

二维金属超表面5和小周期亚波长金属光栅4之间间距s2以及各自尺寸根据探测入射光波长通过理论计算优化决定，优化的目标是使圆偏振光的透射消光比(即选择圆偏振光透过率与非选择圆偏振光透过率之比)最大。针对中远红外波段(2.5-25μm)，理论计算给出以下尺寸参数设计范围：大周期金属光栅3周期p1为二维S形阵列5的周期p3的数值的n倍(n为整数)，且二维S形阵列5的周期p3的数值为探测入射光在对工作波段透明的介质层6中等效波长的三分之一到二分之一。二维S形超表面5中各单元相较x轴旋转角θ最优值为θ＝45°，ls与hs不大于周期p3的十六分之三，线条宽度ws不大于hs的二分之一，ls、hs、ws和θ的取值要求保证S形单元包含在周期为p的结构单元内，随着ls、hs、ws的增大，圆偏振光的透射消光比最大的工作波长红移；高度h5不小于以微米为单位的探测波长的平方根的0.0096倍。

量子阱红外探测器的圆偏振光探测识别能力由二维金属超表面5和小周期亚波长金属光栅4形成圆偏振光的选择转换腔和大周期金属光栅3、量子阱红外光电转换激活层2与金属反射镜1形成等离激元微腔结构两部分的共同作用产生。以实现右旋圆偏振光探测的量子阱圆偏振探测器为例，本发明的量子阱圆偏振探测器实现圆偏振探测的基本原理是：二维金属超表面5和小周期亚波长金属光栅4形成圆偏振光的选择转换腔，二维金属超表面5的偏振转换效应使右旋和左旋圆偏振光分别转换为长轴与小周期亚波长金属光栅4垂直栅条方向和平行的椭圆偏振光，小周期亚波长金属光栅4的线偏振选择特性可以高效透射电场与其栅条方向垂直的椭圆偏振光分量，而反射电场与其平行的椭圆偏振光分量再次被二维金属超表面5转换。通过类法布里-珀罗共振腔效应，最终只有右旋圆偏振光因被大量转换为电场与小周期亚波长金属光栅4栅条方向垂直的线偏振光透射，左旋圆偏振光则被大量反射，如附图图2所示。从而实现了对圆偏振入射光的选择及向线偏振光的转换，并最终被量子阱探测器探测与识别，使量子阱探测器具备红外圆偏探测能力，这是本发明区别于已有圆偏振探测方法的关键。可通过改变小周期亚波长金属光栅4的栅条方向来实现对不同圆偏振光的选择转换。大周期金属光栅3、量子阱红外光电转换激活层2和金属反射镜1形成等离激元微腔结构，通过表面等离激元共振效应将选择转换腔透射的线偏振光子的电矢量方向由x方向(平行于量子阱生长方向)转换为z方向(垂直于量子阱生长方向)，使其能够被量子阱子带跃迁吸收转化为光电信号。同时等离激元微腔在量子阱红外光电转换激活区2形成驻波模式，有效增强该区域的电场强度，进一步增强量子阱子带跃迁对光子的吸收。

二维金属超表面5和小周期亚波长金属光栅4形成圆偏振光的选择转换腔，对圆偏振入射光的选择及向线偏振光的转换作用来自于二维金属超表面5整体的偏振转换功能和小周期亚波长金属光栅4整体的线偏振选择透射功能的相互耦合作用，而非二维金属超表面5结构单元与小周期亚波长金属光栅4结构单元之间的相互耦合作用，因此对于二者之间的相对偏移不敏感；大周期金属光栅3、量子阱红外光电转换激活层2和金属反射镜1形成近场耦合微腔结构，通过表面等离激元共振效应实现将选择转换腔透射的线偏振光子转换为能够被量子阱子带跃迁吸收转化为光电信号的光子，同时增强量子阱子带跃迁对光子的吸收，以上两种功能的实现不依赖于选择转换腔。两个腔基本独立工作，因此器件性能对于两个腔之间的相对偏移不敏感，对套刻工艺过程中引入的相对偏移具有很好的鲁棒性。

本发明的优点是：

1、器件结构中的等离激元微腔通过耦合作用可有效增强所选择圆偏方向的转化效果和对非选择圆偏方向的屏蔽，有效提高了器件的圆偏振光选择消光比，并可工作在中波红外、长波红外，甚至太赫兹波段。

2、探测器本身具备圆偏振光的探测与识别能力，无需增加圆偏分光系统，体积小、稳定性及可靠性高，且集成度高，可与量子阱线偏振探测器集成实现全斯托克斯矢量偏振探测器的制备。

3、偏振转换腔与等离激元微腔基本独立工作，器件性能对器件制备过程中套刻偏移不敏感，工艺鲁棒性好。

附图说明

图1为量子阱圆偏振探测器结构截面示意图；

图2为量子阱圆偏振探测器的俯视图；

图3为本专利实施例1采用时域有限差分算法模拟得到的左旋和右旋圆偏振光入射时圆偏振选择转换腔结构内的电场分布。右旋圆偏振光被转换为x方向线偏振高效透射，而左旋圆偏振光则被大量反射；

图4为本专利实施例1采用时域有限差分算法模拟得到的左旋和右旋圆偏振光入射时量子阱圆偏振探测器结构内的电场分布图，图中(a)为可以被量子阱子带跃迁吸收的Ez电场的分布图，(b)为提取右旋和左旋偏振光入射时量子阱红外光电转换激活层2中心区域沿x方向的Ez电场分布，计算得到的对应Ez2分布图，(c)为由(b)提取得到的量子阱光电转换激活区2的消光比曲线；

图5为本专利实施例2采用时域有限差分算法模拟得到的左旋和右旋圆偏振光入射时量子阱圆偏振探测器结构内的电场分布图，图中(a)为提取右旋和左旋偏振光入射时量子阱红外光电转换激活层2中心区域沿x方向的Ez电场分布，计算得到的对应Ez2分布图，(b)为由(a)提取得到的量子阱光电转换激活区2的消光比曲线；

图6为本专利实施例3采用时域有限差分算法模拟得到的左旋和右旋圆偏振光入射时量子阱圆偏振探测器结构内的电场分布图，图中(a)为提取右旋和左旋偏振光入射时量子阱红外光电转换激活层2中心区域沿x方向的Ez电场分布，计算得到的对应Ez2分布图，(b)为由(a)提取得到的量子阱光电转换激活区2的消光比曲线；

图7为本专利实施例4采用时域有限差分算法模拟得到的左旋和右旋圆偏振光入射时量子阱圆偏振探测器结构内的电场分布图，图中(a)为提取右旋和左旋偏振光入射时量子阱红外光电转换激活层2中心区域沿x方向的Ez电场分布，计算得到的对应Ez2分布图，(b)为由(a)提取得到的量子阱光电转换激活区2的消光比曲线。

具体实施方式

为了便于说明，下面将以工作在9.8μm的GaAs/AlxGa1-xAs量子阱圆偏振探测器为例，结合附图对本发明的具体实施方式作详细说明：

如图1所示，本发明的量子阱圆偏振探测器，其结构由下到上依次为：金属反射镜1、量子阱红外光电转换激活层2、大周期金属光栅3、小周期亚波长金属光栅4、二维金属超表面5，其中大周期金属光栅3、小周期亚波长金属光栅4和二维金属超表面5嵌埋在对工作波段透明的介质层6内。

本发明所述的红外量子阱圆偏振探测器的具体制备步骤如下：

1)首先采用分子束外延(MBE)或者金属有机化学气相外延(MOCVD)方法在GaAs衬底上制备出厚度为h2的GaAs/AlxGa1-xAs量子阱薄膜2；

2)通过薄膜沉积工艺沉积设计厚度的对工作波段透明的介质层6，在其上采用光刻工艺得到掩膜图形，通过刻蚀和薄膜沉积得到周期为p1，栅条宽度为w1，高度h3的大周期金属光栅3；

3)在步骤(2)得到的结构上通过薄膜沉积工艺沉积设计厚度的对工作波段透明的介质层6，采用电子束光刻工艺得到掩膜图形，通过刻蚀和薄膜沉积得到周期为p2，栅条宽度为w2，高度h4的小周期亚波长金属光栅4；

4)在步骤(3)得到的结构上通过薄膜沉积工艺沉积设计厚度的对工作波段透明的介质层6，采用电子束光刻工艺得到二维金属超表面掩膜图形，通过刻蚀和薄膜沉积得到周期设计尺寸的二维金属超表面5；

5)采用微晶石蜡层将步骤(4)所得到的结构薄膜粘附在过渡基底上，将原有衬底通过减薄和抛光的工艺完全去除。采用电子束蒸发或溅射的方式沉积一层厚度h1的金属反射镜1，在金属反射镜1上涂上一层固化温度低于普通石蜡熔点的胶体，粘上适合功能器件薄膜测量的最终基底材料并剥离过渡基底材料和微晶石蜡层，形成红外量子阱圆偏振探测器。

实施例一

本实施例的量子阱圆偏振探测器的探测入射波长为9.8μm，金属采用金，对工作波段透明的介质层6采用折射率为1.43的氟化钙。结构尺寸为：金属反射镜1厚度h1＝0.5μm，量子阱红外光电转换激活层2厚度h2＝0.9μm，折射率取3.3，大周期光栅3周期p1＝6.2μm，栅条宽度w1＝4.5μm，小周期亚波长金属光栅4周期p2＝0.8μm，栅条宽度w2＝0.4μm，二维金属超表面5采用金属S形阵列，周期p2＝3.1μm，线条宽度ws＝0.3μm，ls＝hs＝0.6μm，θ＝45°。大周期金属光栅3栅条高度h3、小周期亚波长金属光栅4栅条高度h4和金属S形阵列5高度h5均为0.3μm，大周期金属光栅3与小周期亚波长金属光栅4间隔s1和小周期亚波长金属光栅4间隔与金属S形阵列5间隔s2均为1μm。

图4是采用时域有限差分算法模拟得到的本实施例所述由小周期亚波长金属光栅4和二维S形阵列5所形成圆偏振光选择转换腔结构的电场分布，可以看到右旋圆偏振光被转换为x方向线偏振高效透射，而左旋圆偏振光则被大量反射；图3为本专利实施例1采用时域有限差分算法模拟得到的左旋和右旋圆偏振光入射时量子阱圆偏振探测器结构内的电场分布图，图中(a)为可以被量子阱子带跃迁吸收的Ez电场的分布图，可以看到右旋圆偏振光入射时量子阱红外光电转换激活层2区域的Ez电场很强，且呈驻波分布，说明所设计器件可以有效实现右旋圆偏振光与量子阱激活区的耦合。而当左旋圆偏振光入射时，量子阱红外光电转换激活层2区域的电场明显较弱。提取右旋和左旋偏振光入射时量子阱红外光电转换激活层2中心区域沿x方向的Ez电场分布，计算得到了对应的Ez2(等效于量子阱耦合的光强)分布图(b)以及消光比分布图(c)，平均消光比超过50，具有良好的圆偏振识别能力。

实施例二

本实施例的量子阱圆偏振探测器的探测入射波长为9.8μm，本实施例在实施例1的基础上改变小周期亚波长金属光栅4的栅条宽度w2，使栅条宽度w2与周期p2之比减小为0.2，金属采用铝，其结构尺寸为：金属反射镜1厚度h1＝0.5μm，量子阱红外光电转换激活层2厚度h2＝0.9μm，折射率取3.3，大周期金属光栅3周期p1＝6.2μm，栅条宽度w1＝4.5μm，小周期亚波长金属光栅4周期p2＝0.8μm，栅条宽度w2＝0.2μm，金属S形阵列5周期p3＝3.2μm，线条宽度ws＝0.3μm，ls＝hs＝0.6μm，θ＝45°。大周期金属光栅3栅条高度h3、小周期亚波长金属光栅4栅条高度h4和金属S形阵列5高度h5均为0.3μm，大周期金属光栅3与小周期亚波长金属光栅4间隔s1和小周期亚波长金属光栅4与金属S形阵列5间隔s2均为1μm。对工作波段透明的介质层6采用折射率为1.43的氟化钙。

图5给出了采用时域有限差分算法模拟得到的本实施例所述量子阱圆偏振探测器在左旋和右旋圆偏振光入射时的电场分布，与实施例1相近，提取右旋和左旋偏振光入射时量子阱红外光电转换激活层2中心区域沿x方向的Ez电场分布，图中(a)为计算得到的对应Ez2分布，(b)为消光比分布图，平均消光比约为44，具有良好的圆偏振识别能力。

实施例三

本实施例的量子阱圆偏振探测器的探测入射波长为9.8μm，本实施例在实施例1的基础上改变小周期光栅的栅条宽度w2，使栅条宽度w2与周期p2之比增大为0.8，金属采用银，对工作波段透明的介质层6采用折射率为1.47的氟化钡，其结构尺寸为：金属反射镜1厚度h1＝0.5μm，量子阱红外光电转换激活层2厚度h2＝0.9μm，折射率取3.3，大周期金属光栅3周期p1＝6.2μm，栅条宽度w1＝4.5μm，小周期亚波长金属光栅4周期p2＝0.8μm，栅条宽度w2＝0.64μm，金属S形阵列5周期p3＝3.2μm，线条宽度ws＝0.3μm，ls＝hs＝0.6μm，θ＝45°。大周期金属光栅3栅条高度h3、小周期亚波长金属光栅4栅条高度h4和金属S形阵列5高度h5均为0.3μm，大周期金属光栅3与小周期亚波长金属光栅4间隔s1和小周期亚波长金属光栅4与金属S形阵列5间隔s2均为1μm。

图6给出了采用时域有限差分算法模拟得到的本实施例所述量子阱圆偏振探测器在左旋和右旋圆偏振光入射时的电场分布，与实施例1相近，提取右旋和左旋偏振光入射时量子阱红外光电转换激活层2中心区域沿x方向的Ez电场分布，图中(a)为计算得到的对应Ez2分布，(b)为消光比分布图，平均消光比约为47，具有良好的圆偏振识别能力。

实施例4

本实施例的量子阱圆偏振探测器的探测入射波长为17.8μm，本实施例在实施例1的基础上将大周期光栅周期增大为二维S形阵列的周期p3的3倍，增大栅条宽度，增大小周期亚波长金属光栅与金属S形阵列间隔s2，对工作波段透明的介质层6采用折射率为2.25的硫化锌，其结构尺寸为：金属反射镜1厚度h1＝0.5μm，量子阱红外光电转换激活层2厚度h2＝0.9μm，折射率取3.3，大周期金属光栅3周期p1＝9.6μm，栅条宽度w1＝7μm，小周期亚波长金属光栅4周期p2＝0.8μm，栅条宽度w2＝0.4μm，金属S形阵列5周期p3＝3.2μm，线条宽度ws＝0.3μm，ls＝hs＝0.6μm，θ＝45°。大周期金属光栅3栅条高度h3、小周期亚波长金属光栅4栅条高度h4和金属S形结构高度h5均为0.3μm，大周期金属光栅3与小周期亚波长金属光栅4间隔s1为1μm，小周期亚波长金属光栅4与金属S形阵列5间隔s2＝1.5μm。金属采用金。

图7给出了采用时域有限差分算法模拟得到的本实施例所述量子阱圆偏振探测器在左旋和右旋圆偏振光入射时的电场分布，与实施例1类似，提取右旋和左旋偏振光入射时量子阱红外光电转换激活层2中心区域沿x方向的Ez电场分布，图中(a)为计算得到的对应Ez2分布，(b)为消光比分布图，平均消光比约为10，具有良好的圆偏振识别能力。

一种量子阱红外圆偏振探测器专利购买费用说明

Q：办理专利转让的流程及所需资料

A：专利权人变更需要办理著录项目变更手续，有代理机构的，变更手续应当由代理机构办理。

1：专利变更应当使用专利局统一制作的“著录项目变更申报书”提出。

2：按规定缴纳著录项目变更手续费。

3：同时提交相关证明文件原件。

4：专利权转移的，变更后的专利权人委托新专利代理机构的，应当提交变更后的全体专利申请人签字或者盖章的委托书。

Q:专利著录项目变更费用如何缴交

A：（1）直接到国家知识产权局受理大厅收费窗口缴纳,（2）通过代办处缴纳，（3）通过邮局或者银行汇款,更多缴纳方式

Q：专利转让变更，多久能出结果

A：著录项目变更请求书递交后，一般1-2个月左右就会收到通知，国家知识产权局会下达《转让手续合格通知书》。