专利摘要

本发明公开了一种非极性面氮化镓衬底外延结构及其制备方法与应用。所述非极性面氮化镓衬底外延结构，包括从下向上的非极性面氮化镓衬底、第一n-GaN层、复合应力释放层、有源区、电子阻挡层、高温p-GaN层和p-InGaN接触层；所述复合应力释放层从下向上依次由u-GaN层、n-Inx1Ga1-x1N/GaN超晶格层和第二n-GaN层组成；其中，u-GaN层的厚度为100～400nm；n-Inx1Ga1-x1N/GaN超晶格层为势阱Inx1Ga1-x1N层和势垒GaN层交替生长且呈周期性的多层膜，周期数为10～20。本发明提供的u-GaN、n-Inx1Ga1-x1N/GaN超晶格和n-GaN作为复合应力释放层提高了非极性面氮化镓衬底外延结构的发光效率。

专利附图

一种非极性面氮化镓衬底外延结构及其制备方法与应用专利购买费用说明

Q：办理专利转让的流程及所需资料

A：专利权人变更需要办理著录项目变更手续，有代理机构的，变更手续应当由代理机构办理。

1：专利变更应当使用专利局统一制作的“著录项目变更申报书”提出。

2：按规定缴纳著录项目变更手续费。

3：同时提交相关证明文件原件。

4：专利权转移的，变更后的专利权人委托新专利代理机构的，应当提交变更后的全体专利申请人签字或者盖章的委托书。

Q:专利著录项目变更费用如何缴交

A：（1）直接到国家知识产权局受理大厅收费窗口缴纳,（2）通过代办处缴纳，（3）通过邮局或者银行汇款,更多缴纳方式

Q：专利转让变更，多久能出结果

A：著录项目变更请求书递交后，一般1-2个月左右就会收到通知，国家知识产权局会下达《转让手续合格通知书》。