专利摘要

本发明提供一种具有双梯度的量子阱结构的近紫外LED制备方法，其峰值波长范围在390nm-405nm高亮度近紫外LED；采用双梯度渐变的InGaN/AlGaN多量子阱作为有源层结构,其中在前5个周期的量子阱中阱层Inx1Ga1-x1N的厚度范围在2-4nm，其In组分x1；垒层Aly1Ga1-y1N厚度为5nm-6nm，Al组分y1，在后5个周期量子阱中阱层InxGa1-xN的厚度范围在2-4nm，垒层AlGaN，垒层AlyGa1-yN厚度为10nm-15nm。采用复合电子阻挡层，第一层电子阻挡层为4-6个周期Inx2Ga1-x2N/Aly2Ga1-y2N超晶格,其中InGaN厚度为，2nm-2.5nm,AlGaN厚度为：1.5nm-2nm；第二层电子阻挡层为8-10个周期p-Inx2Ga1-x2N/Aly2Ga1-y2N超晶格，其中InGaN厚度为3nm-4nm,AlGaN厚度为2.5nm-3nm.其中In组分x2，0.01≤x2＜x1＜x＜0.1，其中Al的组分y2,0.05≤y1≤y≤y2≤0.1；所述新型量子阱有源层结构及电子阻挡层结构，可有效提高电子、空穴复合发光效率；适用于高亮度近紫外LED的制作。

专利附图

一种具有双梯度的量子阱结构的近紫外LED制备方法专利购买费用说明

Q：办理专利转让的流程及所需资料

A：专利权人变更需要办理著录项目变更手续，有代理机构的，变更手续应当由代理机构办理。

1：专利变更应当使用专利局统一制作的“著录项目变更申报书”提出。

2：按规定缴纳著录项目变更手续费。

3：同时提交相关证明文件原件。

4：专利权转移的，变更后的专利权人委托新专利代理机构的，应当提交变更后的全体专利申请人签字或者盖章的委托书。

Q:专利著录项目变更费用如何缴交

A：（1）直接到国家知识产权局受理大厅收费窗口缴纳,（2）通过代办处缴纳，（3）通过邮局或者银行汇款,更多缴纳方式

Q：专利转让变更，多久能出结果

A：著录项目变更请求书递交后，一般1-2个月左右就会收到通知，国家知识产权局会下达《转让手续合格通知书》。