专利摘要

本发明提供一种rGO膜/GaN纳米线复合电极及其制备方法，其中制备方法包括：以沉积有镍盐催化剂的还原氧化石墨烯膜为衬底，通过化学气相沉积法生长GaN纳米线，得到rGO膜/GaN纳米线复合电极。依据上述制备方法，由于采用rGO膜导电衬底，进一步增强了电解液的浸润性和电子/锂离子的传输特性，使得rGO膜/GaN纳米线复合电极的倍率特性大幅度提高；采用化学气相沉积法生长GaN纳米线，充分发挥GaN纳米线较大的比表面积，暴露出丰富的活性位点，能够实现电解液的充分接触以及充放电反应中锂离子和电子的快速转移的优点。

专利附图

一种rGO膜/GaN纳米线复合电极及其制备方法专利购买费用说明

Q：办理专利转让的流程及所需资料

A：专利权人变更需要办理著录项目变更手续，有代理机构的，变更手续应当由代理机构办理。

1：专利变更应当使用专利局统一制作的“著录项目变更申报书”提出。

2：按规定缴纳著录项目变更手续费。

3：同时提交相关证明文件原件。

4：专利权转移的，变更后的专利权人委托新专利代理机构的，应当提交变更后的全体专利申请人签字或者盖章的委托书。

Q:专利著录项目变更费用如何缴交

A：（1）直接到国家知识产权局受理大厅收费窗口缴纳,（2）通过代办处缴纳，（3）通过邮局或者银行汇款,更多缴纳方式

Q：专利转让变更，多久能出结果

A：著录项目变更请求书递交后，一般1-2个月左右就会收到通知，国家知识产权局会下达《转让手续合格通知书》。