专利摘要

本发明公开一种半导体材料生长设备，具体为一种用于半导体单晶生长的直拉型单晶炉。本发明利用热屏的向下移动替代坩埚的向上运动，使坩埚只有旋转而不再上升，减少了一个自由度，降低了系统的复杂性；采用分别位于坩埚底部和侧面的双加热器，针对晶体生长的不同阶段分别控制，使晶体和熔体的温度梯度控制更加方便；坩埚与加热器的相对位置保持平行且不变，加热器的热辐射直接烘烤坩埚，与传统单晶炉中坩埚不断远离加热区域相比，传热效率大大提高；导流筒引导氩气对晶体强化换热，抑制了熔体上方的氩气对流涡旋，有利于减少晶体中的杂质和微缺陷，并降低氩气消耗量。

专利附图

双加热器移动热屏式直拉单晶炉专利购买费用说明

Q：办理专利转让的流程及所需资料

A：专利权人变更需要办理著录项目变更手续，有代理机构的，变更手续应当由代理机构办理。

1：专利变更应当使用专利局统一制作的“著录项目变更申报书”提出。

2：按规定缴纳著录项目变更手续费。

3：同时提交相关证明文件原件。

4：专利权转移的，变更后的专利权人委托新专利代理机构的，应当提交变更后的全体专利申请人签字或者盖章的委托书。

Q:专利著录项目变更费用如何缴交

A：（1）直接到国家知识产权局受理大厅收费窗口缴纳,（2）通过代办处缴纳，（3）通过邮局或者银行汇款,更多缴纳方式

Q：专利转让变更，多久能出结果

A：著录项目变更请求书递交后，一般1-2个月左右就会收到通知，国家知识产权局会下达《转让手续合格通知书》。