专利摘要

本发明公开了一种多层薄膜电容器的无掩膜制备方法。该方法先配制纳米金属粉体浆料或采用溶胶凝胶法制备非金属导电氧化物胶体，并均匀涂覆在基片上，然后通过可控温度的红外光斑对基片定向扫描加热，从而使浆料或胶体在干燥、挥发过程中发生定向收缩并形成初始电极图案，最后采用激光光斑加热，使金属电极材料发生表面粘结或使非金属导电氧化物结晶并形成清晰的电极图案最后采用溶胶凝胶法或溅射法制备介质薄膜，再按上述方法在介质薄膜上制备电极薄膜，并利用定向扫描加热使第二层电极与底电极形成错层，重复上述步骤制成具有叉指结构的多层薄膜电容器。本发明无需使用掩膜或光刻技术即可实现多层薄膜电容器的制备，具有成本低，工艺控制简单的特点。

专利附图

一种多层薄膜电容器的无掩膜制备方法专利购买费用说明

Q：办理专利转让的流程及所需资料

A：专利权人变更需要办理著录项目变更手续，有代理机构的，变更手续应当由代理机构办理。

1：专利变更应当使用专利局统一制作的“著录项目变更申报书”提出。

2：按规定缴纳著录项目变更手续费。

3：同时提交相关证明文件原件。

4：专利权转移的，变更后的专利权人委托新专利代理机构的，应当提交变更后的全体专利申请人签字或者盖章的委托书。

Q:专利著录项目变更费用如何缴交

A：（1）直接到国家知识产权局受理大厅收费窗口缴纳,（2）通过代办处缴纳，（3）通过邮局或者银行汇款,更多缴纳方式

Q：专利转让变更，多久能出结果

A：著录项目变更请求书递交后，一般1-2个月左右就会收到通知，国家知识产权局会下达《转让手续合格通知书》。