专利摘要

本发明涉及一种化学水浴制备太阳能电池吸收层CuInS2薄膜的方法。采用的技术方案是：对衬底表面进行清洗，利用化学水浴沉积法，将衬底浸泡于硫化铟沉积液中，沉积5-60min后得到硫化铟薄膜；利用化学水浴沉积法，将沉积有硫化铟薄膜的钼衬底浸泡于氧化亚铜沉积液中继续沉积一层氧化亚铜薄膜，沉积5-60min后获得的In2S3/Cu2O前驱体；将获得的前驱体，置于硫气氛下进行退火制得所述的太阳能电池吸收层CIS薄膜。本发明提出了一种利用低成本、制备过程简单、成本低廉、制备周期短的化学水浴合成法制备新型Mo/In2S3/Cu2O前驱体，经过分步热处理得到吸收层薄膜。

专利附图

化学水浴制备太阳能电池吸收层CuInS2薄膜的方法专利购买费用说明

Q：办理专利转让的流程及所需资料

A：专利权人变更需要办理著录项目变更手续，有代理机构的，变更手续应当由代理机构办理。

1：专利变更应当使用专利局统一制作的“著录项目变更申报书”提出。

2：按规定缴纳著录项目变更手续费。

3：同时提交相关证明文件原件。

4：专利权转移的，变更后的专利权人委托新专利代理机构的，应当提交变更后的全体专利申请人签字或者盖章的委托书。

Q:专利著录项目变更费用如何缴交

A：（1）直接到国家知识产权局受理大厅收费窗口缴纳,（2）通过代办处缴纳，（3）通过邮局或者银行汇款,更多缴纳方式

Q：专利转让变更，多久能出结果

A：著录项目变更请求书递交后，一般1-2个月左右就会收到通知，国家知识产权局会下达《转让手续合格通知书》。