专利摘要

本发明公开了一种激光微凹坑阵列制造装置和方法，涉及激光微凹坑制造领域。本发明首先在工件上表面向上依次覆盖柔性贴膜和喷涂有吸收层的平网，并一起装夹在工作台上，喷水装置向平网表面喷射水层。激光束透过水层，一部分激光穿过平网的网孔，烧蚀柔性贴膜和工件表面，形成微凹坑和大量飞溅的熔渣；另一部分激光束被吸收层阻挡和吸收，产生等离子体爆炸形成冲击波，冲击波使平网、柔性贴膜和工件表面三者紧贴一起，相互间不留缝隙，阻止熔渣进入非激光辐照区的工件表面。本发明可提高微凹坑表面质量，避免熔渣粘附在微凹坑周边，提高加工效率，保证微凹坑尺寸的重复性，同时可以在工件表面加工各种形状和分布的微凹坑阵列。

专利附图

一种激光微凹坑阵列制造装置和方法专利购买费用说明

Q：办理专利转让的流程及所需资料

A：专利权人变更需要办理著录项目变更手续，有代理机构的，变更手续应当由代理机构办理。

1：专利变更应当使用专利局统一制作的“著录项目变更申报书”提出。

2：按规定缴纳著录项目变更手续费。

3：同时提交相关证明文件原件。

4：专利权转移的，变更后的专利权人委托新专利代理机构的，应当提交变更后的全体专利申请人签字或者盖章的委托书。

Q:专利著录项目变更费用如何缴交

A：（1）直接到国家知识产权局受理大厅收费窗口缴纳,（2）通过代办处缴纳，（3）通过邮局或者银行汇款,更多缴纳方式

Q：专利转让变更，多久能出结果

A：著录项目变更请求书递交后，一般1-2个月左右就会收到通知，国家知识产权局会下达《转让手续合格通知书》。