专利摘要

一种CMOS气体传感器及其形成方法，其中CMOS气体传感器的形成方法包括：利用MOS器件的多晶硅栅的形成工艺形成气体传感器的多晶硅加热层；利用MOS器件互连结构的形成工艺形成传感器互连结构；然后在传感器互连结构的第二顶层金属互连层表面形成气敏层；采用干法刻蚀工艺刻蚀位于气敏层周围的钝化层、介质层以及部分厚度的衬底，形成环绕气敏层的沟槽；采用各向同性刻蚀工艺对沟槽暴露出的衬底进行刻蚀，在传感器区上方形成悬空结构，悬空结构与传感器区衬底之间具有隔热区域。本发明气体传感器的形成工艺与MOS器件的形成工艺完全兼容，将气体传感器和MOS器件集成在同一芯片上，缩小芯片面积，降低功耗、提高集成度和产量。

专利附图

CMOS气体传感器及其形成方法专利购买费用说明

Q：办理专利转让的流程及所需资料

A：专利权人变更需要办理著录项目变更手续，有代理机构的，变更手续应当由代理机构办理。

1：专利变更应当使用专利局统一制作的“著录项目变更申报书”提出。

2：按规定缴纳著录项目变更手续费。

3：同时提交相关证明文件原件。

4：专利权转移的，变更后的专利权人委托新专利代理机构的，应当提交变更后的全体专利申请人签字或者盖章的委托书。

Q:专利著录项目变更费用如何缴交

A：（1）直接到国家知识产权局受理大厅收费窗口缴纳,（2）通过代办处缴纳，（3）通过邮局或者银行汇款,更多缴纳方式

Q：专利转让变更，多久能出结果

A：著录项目变更请求书递交后，一般1-2个月左右就会收到通知，国家知识产权局会下达《转让手续合格通知书》。