专利摘要

本发明公开了一种低温烧结的莫来石原位增强碳化硅多孔陶瓷的制备方法，通过将Al2(SO4)3、Na2SO4和B2O3原料混合球磨后得到混合料A；再将混合料A与SiC粉料、造孔剂混合球磨后得到混合料B；混合料B经压制成型后进行干燥并煅烧，最后将煅烧后的样品通过超声波清洗后烘干即得。该方法一方面促进了碳化硅多孔陶瓷的低温烧结；另一方面，不仅克服了当高温粘结剂或助烧剂存在时材料在高温下使用的缺陷，而且还有助于进一步提高材料的孔隙率；更为重要的是，通过高温反应将碳化硅表面由于氧化而生成的SiO2转变为莫来石晶相，从而进一步改善了材料的高温力学性能和抗氧化性能。

专利附图

一种低温烧结的莫来石原位增强碳化硅多孔陶瓷的制备方法专利购买费用说明

Q：办理专利转让的流程及所需资料

A：专利权人变更需要办理著录项目变更手续，有代理机构的，变更手续应当由代理机构办理。

1：专利变更应当使用专利局统一制作的“著录项目变更申报书”提出。

2：按规定缴纳著录项目变更手续费。

3：同时提交相关证明文件原件。

4：专利权转移的，变更后的专利权人委托新专利代理机构的，应当提交变更后的全体专利申请人签字或者盖章的委托书。

Q:专利著录项目变更费用如何缴交

A：（1）直接到国家知识产权局受理大厅收费窗口缴纳,（2）通过代办处缴纳，（3）通过邮局或者银行汇款,更多缴纳方式

Q：专利转让变更，多久能出结果

A：著录项目变更请求书递交后，一般1-2个月左右就会收到通知，国家知识产权局会下达《转让手续合格通知书》。