专利摘要

本发明涉及半导体光电材料技术领域，提供了一种紫外光化学水浴沉积法制备硫化镉薄膜或硫化锌薄膜的方法。本发明将金属源CdSO4或ZnSO4、络合剂、含S2O32-的硫源、H2SO4溶液混合，调节H2SO4溶液的加入量使混合液pH≥3.5，将衬底浸渍于混合液中，并保持液面与衬底的上底面的距离为2~5mm，紫外光照射，衬底上形成硫化镉或硫化锌薄膜。本发明首次采用紫外光化学水浴方法制备硫化镉或硫化锌薄膜，对比传统化学浴法，紫外光化学水浴法只在光照的位置发生反应而沉积薄膜，通过控制紫外光源光斑的位置和形状即可控制薄膜形状，通过光照时间控制薄膜厚度，材料利用率高，产生的废液也少很多，制备得到无针孔、均匀一致的高质量薄膜。

专利附图

一种紫外光化学水浴沉积法制备硫化镉薄膜或硫化锌薄膜的方法专利购买费用说明

Q：办理专利转让的流程及所需资料

A：专利权人变更需要办理著录项目变更手续，有代理机构的，变更手续应当由代理机构办理。

1：专利变更应当使用专利局统一制作的“著录项目变更申报书”提出。

2：按规定缴纳著录项目变更手续费。

3：同时提交相关证明文件原件。

4：专利权转移的，变更后的专利权人委托新专利代理机构的，应当提交变更后的全体专利申请人签字或者盖章的委托书。

Q:专利著录项目变更费用如何缴交

A：（1）直接到国家知识产权局受理大厅收费窗口缴纳,（2）通过代办处缴纳，（3）通过邮局或者银行汇款,更多缴纳方式

Q：专利转让变更，多久能出结果

A：著录项目变更请求书递交后，一般1-2个月左右就会收到通知，国家知识产权局会下达《转让手续合格通知书》。