专利摘要

本发明公开了一种LED芯片、垂直结构的LED外延片及其制备方法，其中，制备方法包括：在清洗后的金属衬底表面生长GaN成核层，并在GaN成核层表面生长P型GaN层；在P型GaN层表面生长GaN阻挡层，并在GaN阻挡层表面生长多量子阱层；在多量子阱层上生长N型GaN层，以得到垂直结构的LED外延片。本申请公开的上述技术方案，直接在金属衬底上依次生长GaN成核层、P型GaN层、GaN阻挡层、多量子阱层、及N型GaN层，以得到垂直结构的LED外延片，这样就不需要对LED外延片的衬底进行剥离和键合，因此，则可以提高LED外延片的制备效率，并且可以提高最终所制备出的LED外延片的良品率和内量子效率。

专利附图

LED芯片、垂直结构的LED外延片及其制备方法专利购买费用说明

Q：办理专利转让的流程及所需资料

A：专利权人变更需要办理著录项目变更手续，有代理机构的，变更手续应当由代理机构办理。

1：专利变更应当使用专利局统一制作的“著录项目变更申报书”提出。

2：按规定缴纳著录项目变更手续费。

3：同时提交相关证明文件原件。

4：专利权转移的，变更后的专利权人委托新专利代理机构的，应当提交变更后的全体专利申请人签字或者盖章的委托书。

Q:专利著录项目变更费用如何缴交

A：（1）直接到国家知识产权局受理大厅收费窗口缴纳,（2）通过代办处缴纳，（3）通过邮局或者银行汇款,更多缴纳方式

Q：专利转让变更，多久能出结果

A：著录项目变更请求书递交后，一般1-2个月左右就会收到通知，国家知识产权局会下达《转让手续合格通知书》。