专利摘要

本发明提供了一种晶体制备装置，包括：长晶炉，长晶炉包括绝热炉壁、坩埚主体和中频加热线圈，绝热炉壁围成一生长腔室，坩埚主体设置于生长腔室内，中频加热线圈绕置于坩埚主体外围，坩埚主体用于盛装待结晶的SiC原料；绝热炉壁上部设置有用于密封生长腔室的绝热滑动盖体，绝热滑动盖体的轴线方向穿过一SiC籽晶夹具，一端位于生长腔室内，另一端位于生长腔室外，并部分伸入至一散热通道中；不仅能够防止碳化硅原料表面的碳化现象，还能防止由感应磁场波动所导致加热温度超过籽晶或生成的碳化硅单晶的升华温度所造成的生成的碳化硅晶体消耗，另外还可以有效避免碳化硅原料中的大颗粒金属杂质以及硅包裹体等对最后生成的碳化硅单晶所造成的缺陷。

专利附图

一种晶体制备装置专利购买费用说明

Q：办理专利转让的流程及所需资料

A：专利权人变更需要办理著录项目变更手续，有代理机构的，变更手续应当由代理机构办理。

1：专利变更应当使用专利局统一制作的“著录项目变更申报书”提出。

2：按规定缴纳著录项目变更手续费。

3：同时提交相关证明文件原件。

4：专利权转移的，变更后的专利权人委托新专利代理机构的，应当提交变更后的全体专利申请人签字或者盖章的委托书。

Q:专利著录项目变更费用如何缴交

A：（1）直接到国家知识产权局受理大厅收费窗口缴纳,（2）通过代办处缴纳，（3）通过邮局或者银行汇款,更多缴纳方式

Q：专利转让变更，多久能出结果

A：著录项目变更请求书递交后，一般1-2个月左右就会收到通知，国家知识产权局会下达《转让手续合格通知书》。