专利摘要

本发明公开了一种电子器件用半导体晶片抛光设备，涉及半导体晶片加工技术领域，本发明通过设置磁致伸缩复合层，并将磁致伸缩复合层设置在弹性层与所述抛光层之间或者抛光层内，利用电磁控制机构对所述磁致伸缩复合层的伸缩变形进行控制，这样，可有效的实现对抛光垫的研磨效率和精度进行控制，并能够使得磁致伸缩复合层的变形随着所述抛光垫与晶片之间的相对转速的增高而变大，通过磁致伸缩复合层的变形来提高浆孔的通浆能力，提高对抛光垫的降温效果以及带走去除抛光碎屑的能力，保证晶片抛光质量，而转速降低时，可降低这种变形，使得抛光效率更高，孔隙更小，提高晶片表面的光滑度，降低孔隙过大对抛光晶片产生的不良影响。

专利附图

一种电子器件用半导体晶片抛光设备专利购买费用说明

Q：办理专利转让的流程及所需资料

A：专利权人变更需要办理著录项目变更手续，有代理机构的，变更手续应当由代理机构办理。

1：专利变更应当使用专利局统一制作的“著录项目变更申报书”提出。

2：按规定缴纳著录项目变更手续费。

3：同时提交相关证明文件原件。

4：专利权转移的，变更后的专利权人委托新专利代理机构的，应当提交变更后的全体专利申请人签字或者盖章的委托书。

Q:专利著录项目变更费用如何缴交

A：（1）直接到国家知识产权局受理大厅收费窗口缴纳,（2）通过代办处缴纳，（3）通过邮局或者银行汇款,更多缴纳方式

Q：专利转让变更，多久能出结果

A：著录项目变更请求书递交后，一般1-2个月左右就会收到通知，国家知识产权局会下达《转让手续合格通知书》。