专利摘要
本发明提供一种室温下原位合成硒化银半导体光电薄膜材料的化学方法。本法将单质Se粉溶解在Na2S的水溶液中形成橙黄色溶液，然后将表面溅射有单质银膜的基底材料和上述溶液共置于同一容器中，在7～35℃的温度范围内经过短时间的反应即可在基底表面原位生长出Ag2Se半导体光电薄膜材料。反应物价格低廉，无须进一步纯化，绿色环保，不需要添加任何表面活性剂或其它化学添加剂；室温反应条件温和，几乎无能耗，对导电基底无影响；反应快捷，操作方便，过程可控。本发明克服了目前Ag2Se半导体薄膜材料制备过程依赖高真空、高能耗、高制作成本、反应物毒性大、成膜过程复杂等缺点，有利于大规模生产和工业应用。
专利附图
一种室温下原位合成硒化银半导体光电薄膜材料的化学方法专利购买费用说明
Q：办理专利转让的流程及所需资料
A：专利权人变更需要办理著录项目变更手续，有代理机构的，变更手续应当由代理机构办理。
1：专利变更应当使用专利局统一制作的“著录项目变更申报书”提出。
2：按规定缴纳著录项目变更手续费。
3：同时提交相关证明文件原件。
4：专利权转移的，变更后的专利权人委托新专利代理机构的，应当提交变更后的全体专利申请人签字或者盖章的委托书。
Q:专利著录项目变更费用如何缴交
A：（1）直接到国家知识产权局受理大厅收费窗口缴纳,（2）通过代办处缴纳，（3）通过邮局或者银行汇款,更多缴纳方式
Q：专利转让变更，多久能出结果
A：著录项目变更请求书递交后，一般1-2个月左右就会收到通知，国家知识产权局会下达《转让手续合格通知书》。
动态评分
0.0