专利摘要

本发明涉及室温原位控制合成氧化银半导体薄膜材料的方法，其特征在于：将表面覆盖有单质银薄膜的基底材料放入UV-O3反应器中，保持体系的相对湿度为30～90%，在氧气或空气存在的条件下，10～40℃反应1～2小时，即可在基底表面原位制得AgxO（AgO或Ag2O）半导体薄膜材料，所述的UV-O3反应器即UV-O3清洗机。该方法反应过程不需要使用任何溶剂、表面活性剂或其它化学添加剂，操作简单，低能耗，制作成本低，具有广阔的工业应用前景。

专利附图

室温原位控制合成氧化银半导体薄膜材料的方法专利购买费用说明

Q：办理专利转让的流程及所需资料

A：专利权人变更需要办理著录项目变更手续，有代理机构的，变更手续应当由代理机构办理。

1：专利变更应当使用专利局统一制作的“著录项目变更申报书”提出。

2：按规定缴纳著录项目变更手续费。

3：同时提交相关证明文件原件。

4：专利权转移的，变更后的专利权人委托新专利代理机构的，应当提交变更后的全体专利申请人签字或者盖章的委托书。

Q:专利著录项目变更费用如何缴交

A：（1）直接到国家知识产权局受理大厅收费窗口缴纳,（2）通过代办处缴纳，（3）通过邮局或者银行汇款,更多缴纳方式

Q：专利转让变更，多久能出结果

A：著录项目变更请求书递交后，一般1-2个月左右就会收到通知，国家知识产权局会下达《转让手续合格通知书》。