专利摘要

本发明公开了一种在FTO衬底上制备二硒化钨半导体薄膜的方法，其特征在于：包括如下步骤：S1：反应前驱液的制备：将溶剂、硒源、钨源以及还原性试剂混合均匀制得反应前驱液；S2：FTO导电玻璃的预处理：将FTO导电玻璃的前期表面洗涤处理；S3：二硒化钨半导体薄膜的制备：将经步骤S2处理后的FTO导电玻璃与步骤S1制得的反应前驱液充分接触，在高温高压的条件下充分反应后，在FTO导电玻璃上制备得到二硒化钨半导体薄膜。本发明的二硒化钨半导体薄膜制备方法具有制备工艺简单、成本低廉，可以得到物相均匀、结晶良好、纯度较高的二硒化钨半导体薄膜等优点，本发明的WSe2半导体薄膜在染料敏化太阳能电池和薄膜太阳能电池制作应用中具有良好的前景。

专利附图

一种在FTO衬底上制备二硒化钨半导体薄膜的方法及其应用专利购买费用说明

Q：办理专利转让的流程及所需资料

A：专利权人变更需要办理著录项目变更手续，有代理机构的，变更手续应当由代理机构办理。

1：专利变更应当使用专利局统一制作的“著录项目变更申报书”提出。

2：按规定缴纳著录项目变更手续费。

3：同时提交相关证明文件原件。

4：专利权转移的，变更后的专利权人委托新专利代理机构的，应当提交变更后的全体专利申请人签字或者盖章的委托书。

Q:专利著录项目变更费用如何缴交

A：（1）直接到国家知识产权局受理大厅收费窗口缴纳,（2）通过代办处缴纳，（3）通过邮局或者银行汇款,更多缴纳方式

Q：专利转让变更，多久能出结果

A：著录项目变更请求书递交后，一般1-2个月左右就会收到通知，国家知识产权局会下达《转让手续合格通知书》。