专利摘要

本发明涉及一种Cu2ZnSnS4/石墨烯复合半导体薄膜的制备方法及其应用，属于半导体薄膜制备技术领域；制备方法为以乙醇为溶剂，氯化铜水合物为铜源，氯化锌为锌源，氯化亚锡水合物为锡源，硫脲为硫源，十六烷基三甲基溴化铵（CTAB）作为表面活性剂，配置反应前驱液；将清洗干净的FTO玻璃导电面朝上滴加石墨烯的乙二醇溶液，放入干燥箱烘干，然后导电面朝上放入高压反应釜内衬中，将所配置的反应前驱液倒入高压反应釜内衬中，密封后将高压反应釜放入鼓风干燥箱中，恒温反应，在FTO导电玻璃衬底上制备得到Cu2ZnSnS4/石墨烯复合半导体薄膜；该发明方法工艺简单，成本低廉，应用效果好，可以直接用作染料敏化太阳能电池的对电极，也可以用作铜基薄膜太阳能电池的吸收层。

专利附图

一种Cu2ZnSnS4/石墨烯复合半导体薄膜的制备方法及其应用专利购买费用说明

Q：办理专利转让的流程及所需资料

A：专利权人变更需要办理著录项目变更手续，有代理机构的，变更手续应当由代理机构办理。

1：专利变更应当使用专利局统一制作的“著录项目变更申报书”提出。

2：按规定缴纳著录项目变更手续费。

3：同时提交相关证明文件原件。

4：专利权转移的，变更后的专利权人委托新专利代理机构的，应当提交变更后的全体专利申请人签字或者盖章的委托书。

Q:专利著录项目变更费用如何缴交

A：（1）直接到国家知识产权局受理大厅收费窗口缴纳,（2）通过代办处缴纳，（3）通过邮局或者银行汇款,更多缴纳方式

Q：专利转让变更，多久能出结果

A：著录项目变更请求书递交后，一般1-2个月左右就会收到通知，国家知识产权局会下达《转让手续合格通知书》。