专利摘要

本发明提供了一种用于SiC单晶片的磁流变化学机械抛光液及其使用方法，其核心配方由A、B两部分构成，A配方包含3wt％～10wt％的磨粒、5wt％～30wt％的磁性微粒、1wt％～10wt％的分散稳定剂、基载液；B配方包含1wt％～30wt％的氧化剂、1wt％～10wt％的催化剂、0.01wt％～1wt％的PH值调节剂、基载液。采用本发明的磁流变化学机械抛光液，根据不同的设备和抛光需要，可以把A、B配方在加工前混合使用或者单独使用，并具有如下的有益效果：精抛加工后所得到的SiC单晶片表面粗糙度Ra达到0.3nm以下，材料去除速率可以达到0.1‑3.8μm/h，抛光加工表面平整光滑。本发明的抛光液制备流程简单，使用操作方便，成本低，效率高，可用于加工SiC单晶片的硅面和碳面，具有很高的适用性和经济价值。

专利附图

一种用于SiC单晶片的磁流变化学机械抛光液及其使用方法专利购买费用说明

Q：办理专利转让的流程及所需资料

A：专利权人变更需要办理著录项目变更手续，有代理机构的，变更手续应当由代理机构办理。

1：专利变更应当使用专利局统一制作的“著录项目变更申报书”提出。

2：按规定缴纳著录项目变更手续费。

3：同时提交相关证明文件原件。

4：专利权转移的，变更后的专利权人委托新专利代理机构的，应当提交变更后的全体专利申请人签字或者盖章的委托书。

Q:专利著录项目变更费用如何缴交

A：（1）直接到国家知识产权局受理大厅收费窗口缴纳,（2）通过代办处缴纳，（3）通过邮局或者银行汇款,更多缴纳方式

Q：专利转让变更，多久能出结果

A：著录项目变更请求书递交后，一般1-2个月左右就会收到通知，国家知识产权局会下达《转让手续合格通知书》。