专利摘要

本发明提供了一种自对准砷化镓PMOS器件的制作方法，该制作方法步骤如下：(1)在砷化镓沟道层上生长SiO2介质300纳米；(2)刻蚀SiO2介质层形成85度台阶；(3)在砷化镓表面生长氧化铝介质；(4)在SiO2侧壁形成钛栅金属；(5)形成钨栅金属；(6)去掉栅金属覆盖区域以外的氧化铝介质和SiO2介质；(9)自对准离子注入，形成源漏区域；(10)在源漏区域沉积源漏金属电极。

专利附图

一种自对准砷化镓PMOS器件的制作方法专利购买费用说明

Q：办理专利转让的流程及所需资料

A：专利权人变更需要办理著录项目变更手续，有代理机构的，变更手续应当由代理机构办理。

1：专利变更应当使用专利局统一制作的“著录项目变更申报书”提出。

2：按规定缴纳著录项目变更手续费。

3：同时提交相关证明文件原件。

4：专利权转移的，变更后的专利权人委托新专利代理机构的，应当提交变更后的全体专利申请人签字或者盖章的委托书。

Q:专利著录项目变更费用如何缴交

A：（1）直接到国家知识产权局受理大厅收费窗口缴纳,（2）通过代办处缴纳，（3）通过邮局或者银行汇款,更多缴纳方式

Q：专利转让变更，多久能出结果

A：著录项目变更请求书递交后，一般1-2个月左右就会收到通知，国家知识产权局会下达《转让手续合格通知书》。