IPC分类号 : H01L29/78; H01L29/06; H01L29/16; H01L29/161
专利摘要
本发明公布了一种锗基硅锗降场层LDMOS器件结构，其结构依次为：一P型锗沟道层；一N型掺杂的锗漂移层；一重N型掺杂的锗欧姆接触层；一硅锗与锗间隔的生长层作为漂移层；一P型掺杂的硅锗漂降场层；一深度达到P型锗沟道层的栅槽结构；一在栅槽内形成的氧化介质层；一在栅槽内形成的栅金属层；一在源漏区域形成的源漏金属电极。
专利附图
一种锗基硅锗降场层LDMOS器件结构专利购买费用说明
Q：办理专利转让的流程及所需资料
A：专利权人变更需要办理著录项目变更手续，有代理机构的，变更手续应当由代理机构办理。
1：专利变更应当使用专利局统一制作的“著录项目变更申报书”提出。
2：按规定缴纳著录项目变更手续费。
3：同时提交相关证明文件原件。
4：专利权转移的，变更后的专利权人委托新专利代理机构的，应当提交变更后的全体专利申请人签字或者盖章的委托书。
Q:专利著录项目变更费用如何缴交
A：（1）直接到国家知识产权局受理大厅收费窗口缴纳,（2）通过代办处缴纳，（3）通过邮局或者银行汇款,更多缴纳方式
Q：专利转让变更，多久能出结果
A：著录项目变更请求书递交后，一般1-2个月左右就会收到通知，国家知识产权局会下达《转让手续合格通知书》。
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