专利摘要

本发明公开了一种确定MOS管源漏饱和电压的电路及其操作方法，所述电路包括4个NMOS管、2个运算放大器、2个电流镜、1个电流减法运算单元、1个电压减法运算单元、1个电流‑电压除法运算单元、1个跨导‑电压转换单元、1个二选一开关、1个电压保持器、1个比较器和1个逐次逼近单元；所述4个NMOS管包括第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管和第四NMOS管，所述2个运算放大器包括第一运算放大器和第二运算放大器，所述2个电流镜包括第一电流镜和第二电流镜。本发明还公开一种确定MOS管源漏饱和电压的操作方法。本发明的技术方案既保证MOS管处于饱和状态又不会浪费电源电压余量。

专利附图

一种确定MOS管源漏饱和电压的电路及其操作方法专利购买费用说明

Q：办理专利转让的流程及所需资料

A：专利权人变更需要办理著录项目变更手续，有代理机构的，变更手续应当由代理机构办理。

1：专利变更应当使用专利局统一制作的“著录项目变更申报书”提出。

2：按规定缴纳著录项目变更手续费。

3：同时提交相关证明文件原件。

4：专利权转移的，变更后的专利权人委托新专利代理机构的，应当提交变更后的全体专利申请人签字或者盖章的委托书。

Q:专利著录项目变更费用如何缴交

A：（1）直接到国家知识产权局受理大厅收费窗口缴纳,（2）通过代办处缴纳，（3）通过邮局或者银行汇款,更多缴纳方式

Q：专利转让变更，多久能出结果

A：著录项目变更请求书递交后，一般1-2个月左右就会收到通知，国家知识产权局会下达《转让手续合格通知书》。