专利摘要

本发明涉及半导体器件技术领域，具体的说是一种三维NAND型存储器下选择管的实现方法。包括以下步骤：采用各向异性蚀刻进行存储管蚀刻，使存储管沟道蚀刻至下选择管和衬底的边界处；采用各向同性蚀刻进行下选择管蚀刻，使下选择管拐角处形成圆弧状的栅氧结构；将多晶硅填充或单晶硅外延生长至上述蚀刻形成的沟道内。本发明将应用于三维存储器的下选择管结构，采用各项同性的干法蚀刻来实现该结构，其结构能在下选择管和衬底转角处形成更小的栅氧厚度，实现更大的导通电流，更好的器件特性。

专利附图

一种三维NAND型存储器下选择管的实现方法专利购买费用说明

Q：办理专利转让的流程及所需资料

A：专利权人变更需要办理著录项目变更手续，有代理机构的，变更手续应当由代理机构办理。

1：专利变更应当使用专利局统一制作的“著录项目变更申报书”提出。

2：按规定缴纳著录项目变更手续费。

3：同时提交相关证明文件原件。

4：专利权转移的，变更后的专利权人委托新专利代理机构的，应当提交变更后的全体专利申请人签字或者盖章的委托书。

Q:专利著录项目变更费用如何缴交

A：（1）直接到国家知识产权局受理大厅收费窗口缴纳,（2）通过代办处缴纳，（3）通过邮局或者银行汇款,更多缴纳方式

Q：专利转让变更，多久能出结果

A：著录项目变更请求书递交后，一般1-2个月左右就会收到通知，国家知识产权局会下达《转让手续合格通知书》。