专利摘要
本发明涉及一种由N和P共掺杂SiC纳米线大应变系数高灵敏压力传感器及其制备方法，属材料制备技术领域。所述的传感器的功能单元为单晶N和P共掺杂SiC纳米线，N和P的掺杂量分别为1.35‑3.0at.％和0.06‑0.11at.％。本申请通过在热解过程中引入双掺杂剂，实现N和P共掺SiC纳米线的生长，并采用单晶N和P共掺杂SiC纳米线作为压力传感器的功能单元，实现了高灵敏SiC纳米线压力传感器的制备，且本发明压力传感器能够实现nN级别应力变化的探测，其应变系数可达～878。
专利附图
一种N和P共掺杂SiC纳米线压力传感器专利购买费用说明
Q：办理专利转让的流程及所需资料
A：专利权人变更需要办理著录项目变更手续，有代理机构的，变更手续应当由代理机构办理。
1：专利变更应当使用专利局统一制作的“著录项目变更申报书”提出。
2：按规定缴纳著录项目变更手续费。
3：同时提交相关证明文件原件。
4：专利权转移的，变更后的专利权人委托新专利代理机构的，应当提交变更后的全体专利申请人签字或者盖章的委托书。
Q:专利著录项目变更费用如何缴交
A：（1）直接到国家知识产权局受理大厅收费窗口缴纳,（2）通过代办处缴纳，（3）通过邮局或者银行汇款,更多缴纳方式
Q：专利转让变更，多久能出结果
A：著录项目变更请求书递交后，一般1-2个月左右就会收到通知，国家知识产权局会下达《转让手续合格通知书》。
动态评分
0.0