专利摘要
一种提高SiC场发射阴极材料高温电子发射稳定性的方法,其包括以下具体步骤:1)有机前驱体聚硅硼氮烷在气氛烧结炉中于260℃保温30min热交联固化,然后球磨粉碎;2)以碳纸为衬底,在0.05 mol/L的Co(NO3)2(纯度:99%)乙醇溶液中浸渍处理,取出自然晾干备用;3)将粉碎得到的粉末置于石墨坩埚底部,浸渍处理的碳纸置于石墨坩埚顶部,一起置于气氛保护炉中;4)在纯度为99.9%的Ar气氛保护下,从室温以25℃/min加热至1550℃;5)以15℃/min从1550℃降温至1100℃;6)随炉冷却至室温,实现原位B掺杂SiC纳米线的制备;7)将SiC纳米线用作场发射阴极进行电子发射性能检测和分析。通过B掺杂,SiC场发射阴极材料的高温电子发射稳定性得到了有效提高。
专利附图
一种提高SiC场发射阴极材料高温电子发射稳定性的方法专利购买费用说明
Q:办理专利转让的流程及所需资料
A:专利权人变更需要办理著录项目变更手续,有代理机构的,变更手续应当由代理机构办理。
1:专利变更应当使用专利局统一制作的“著录项目变更申报书”提出。
2:按规定缴纳著录项目变更手续费。
3:同时提交相关证明文件原件。
4:专利权转移的,变更后的专利权人委托新专利代理机构的,应当提交变更后的全体专利申请人签字或者盖章的委托书。
Q:专利著录项目变更费用如何缴交
A:(1)直接到国家知识产权局受理大厅收费窗口缴纳,(2)通过代办处缴纳,(3)通过邮局或者银行汇款,更多缴纳方式
Q:专利转让变更,多久能出结果
A:著录项目变更请求书递交后,一般1-2个月左右就会收到通知,国家知识产权局会下达《转让手续合格通知书》。
动态评分
0.0