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一种提高SiC场发射阴极材料高温电子发射稳定性的方法

一种提高SiC场发射阴极材料高温电子发射稳定性的方法

IPC分类号 : H01J9/02; B82Y30/00

申请号
CN201410176393.1
可选规格
  • 专利类型: 发明专利
  • 法律状态: 有权
  • 申请日: 2014/4/29
  • 公开号: CN103928276A
  • 公开日: 2014/7/16
  • 主分类号: H01J9/02
  • 专利权人: 宁波工程学院

专利摘要

一种提高SiC场发射阴极材料高温电子发射稳定性的方法,其包括以下具体步骤:1)有机前驱体聚硅硼氮烷在气氛烧结炉中于260℃保温30min热交联固化,然后球磨粉碎;2)以碳纸为衬底,在0.05 mol/L的Co(NO3)2(纯度:99%)乙醇溶液中浸渍处理,取出自然晾干备用;3)将粉碎得到的粉末置于石墨坩埚底部,浸渍处理的碳纸置于石墨坩埚顶部,一起置于气氛保护炉中;4)在纯度为99.9%的Ar气氛保护下,从室温以25℃/min加热至1550℃;5)以15℃/min从1550℃降温至1100℃;6)随炉冷却至室温,实现原位B掺杂SiC纳米线的制备;7)将SiC纳米线用作场发射阴极进行电子发射性能检测和分析。通过B掺杂,SiC场发射阴极材料的高温电子发射稳定性得到了有效提高。

专利附图

一种提高SiC场发射阴极材料高温电子发射稳定性的方法

一种提高SiC场发射阴极材料高温电子发射稳定性的方法专利购买费用说明

专利买卖交易资料

Q:办理专利转让的流程及所需资料

A:专利权人变更需要办理著录项目变更手续,有代理机构的,变更手续应当由代理机构办理。

1:专利变更应当使用专利局统一制作的“著录项目变更申报书”提出。

2:按规定缴纳著录项目变更手续费。

3:同时提交相关证明文件原件。

4:专利权转移的,变更后的专利权人委托新专利代理机构的,应当提交变更后的全体专利申请人签字或者盖章的委托书。

Q:专利著录项目变更费用如何缴交

A:(1)直接到国家知识产权局受理大厅收费窗口缴纳,(2)通过代办处缴纳,(3)通过邮局或者银行汇款,更多缴纳方式

Q:专利转让变更,多久能出结果

A:著录项目变更请求书递交后,一般1-2个月左右就会收到通知,国家知识产权局会下达《转让手续合格通知书》。

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