专利摘要

本发明涉及一种芯片级全固态SiC超级电容器的制备方法，属于微能源制造技术领域，制备方法包括：将SiC晶片先进行清洗、浸泡、干燥处理，再经阳极氧化刻蚀、剥离后得SiC纳米阵列薄膜；将SiC纳米阵列薄膜浸入固态电解质中，取出后直接压合得超级电容器电极；将超级电容器电极与固态电解质组装形成超级电容器，本发明芯片级全固态SiC超级电容器，工艺方法简单，制备成本低，具有很好的重复性，且SiC超级电容器厚度小，已经达到微米级，可以集成到芯片上，适用领域广。

专利附图

一种芯片级全固态SiC超级电容器的制备方法专利购买费用说明

Q：办理专利转让的流程及所需资料

A：专利权人变更需要办理著录项目变更手续，有代理机构的，变更手续应当由代理机构办理。

1：专利变更应当使用专利局统一制作的“著录项目变更申报书”提出。

2：按规定缴纳著录项目变更手续费。

3：同时提交相关证明文件原件。

4：专利权转移的，变更后的专利权人委托新专利代理机构的，应当提交变更后的全体专利申请人签字或者盖章的委托书。

Q:专利著录项目变更费用如何缴交

A：（1）直接到国家知识产权局受理大厅收费窗口缴纳,（2）通过代办处缴纳，（3）通过邮局或者银行汇款,更多缴纳方式

Q：专利转让变更，多久能出结果

A：著录项目变更请求书递交后，一般1-2个月左右就会收到通知，国家知识产权局会下达《转让手续合格通知书》。