专利摘要
一种二硫化钨单层薄膜的制备方法，采用CVD方法，以纯度为99.99％高纯三氧化钨作为钨源和纯度为99.9％高纯硫作为硫源，以纯度为99.999％的高纯氩气作为载气，以纯度为99.999％的氢气作为反应催化气体，以蓝宝石衬底作为反应衬底，制备而成。本发明具有简单易行、能获得大尺寸高质量二硫化钨薄膜材料的优点，是一种既经济实惠又简单的制备方法。
一种二硫化钨单层薄膜的制备方法专利购买费用说明
Q：办理专利转让的流程及所需资料
A：专利权人变更需要办理著录项目变更手续，有代理机构的，变更手续应当由代理机构办理。
1：专利变更应当使用专利局统一制作的“著录项目变更申报书”提出。
2：按规定缴纳著录项目变更手续费。
3：同时提交相关证明文件原件。
4：专利权转移的，变更后的专利权人委托新专利代理机构的，应当提交变更后的全体专利申请人签字或者盖章的委托书。
Q:专利著录项目变更费用如何缴交
A：（1）直接到国家知识产权局受理大厅收费窗口缴纳,（2）通过代办处缴纳，（3）通过邮局或者银行汇款,更多缴纳方式
Q：专利转让变更，多久能出结果
A：著录项目变更请求书递交后，一般1-2个月左右就会收到通知，国家知识产权局会下达《转让手续合格通知书》。
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