专利摘要
本发明提供了一种基于碳氧化硅薄膜的阻变材料及阻变存储器。一种碳氧化硅薄膜阻变材料，其分子式为SiCxOy，其中x=1.21~0.21，y=1.45~2.01，且x、y为负相关；膜厚度在50nm以下。一种阻变存储器，包括顶电极、阻变介质层、衬底和背电极，其特征在于所述阻变介质层为上述碳氧化硅薄膜。所述顶电极可以采用Ag和Al等材料。本发明选用了COMS工艺兼容的材料来制备阻变存储器，制备过程主要采用了物理法沉积薄膜设备，无高温工艺，减少了能源的消耗。通过控制气体比例，可以得到不同缺陷浓度的碳氧化硅薄膜。对于SiC0.21O2.01材料，其开关比达到了500，完全能够满足实际需求（大于10即可），同时基于碳氧化硅材料的阻变存储器具有自整流效应，这对于简化外电路的设计具有重要意义。
专利附图
一种碳氧化硅薄膜及阻变存储器专利购买费用说明
Q：办理专利转让的流程及所需资料
A：专利权人变更需要办理著录项目变更手续，有代理机构的，变更手续应当由代理机构办理。
1：专利变更应当使用专利局统一制作的“著录项目变更申报书”提出。
2：按规定缴纳著录项目变更手续费。
3：同时提交相关证明文件原件。
4：专利权转移的，变更后的专利权人委托新专利代理机构的，应当提交变更后的全体专利申请人签字或者盖章的委托书。
Q:专利著录项目变更费用如何缴交
A：（1）直接到国家知识产权局受理大厅收费窗口缴纳,（2）通过代办处缴纳，（3）通过邮局或者银行汇款,更多缴纳方式
Q：专利转让变更，多久能出结果
A：著录项目变更请求书递交后，一般1-2个月左右就会收到通知，国家知识产权局会下达《转让手续合格通知书》。
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