专利摘要

本发明公开了一种倒装高压LED芯片电极及芯片制造方法，包括衬底和外延层，外延层包括P型氮化镓层、量子阱区和N型氮化镓层，外延层上设置有彼此独立的单元芯片，每个单元芯片形成图案化的P型氮化镓平台和N型氮化镓平台，两组以上单元芯片构成一个高压芯片单元，P型氮化镓平台和N型氮化镓平台均采用金属电极互联，金属电极包括P型金属反射电极、P‑N互联电极、N型金属电极以及焊盘电极，P型氮化镓平台到N型氮化镓平台的侧壁以及单元芯片互联的深槽区均采用DBR结构连接。本发明提高芯片的出光率以及增大封装芯片焊盘的接触面积，增强稳定性，减少电流从聚效应，而且实现无线焊接，散热效果好，有利于减少成本，降低光衰。

专利附图

一种倒装高压LED芯片电极及芯片制造方法专利购买费用说明

Q：办理专利转让的流程及所需资料

A：专利权人变更需要办理著录项目变更手续，有代理机构的，变更手续应当由代理机构办理。

1：专利变更应当使用专利局统一制作的“著录项目变更申报书”提出。

2：按规定缴纳著录项目变更手续费。

3：同时提交相关证明文件原件。

4：专利权转移的，变更后的专利权人委托新专利代理机构的，应当提交变更后的全体专利申请人签字或者盖章的委托书。

Q:专利著录项目变更费用如何缴交

A：（1）直接到国家知识产权局受理大厅收费窗口缴纳,（2）通过代办处缴纳，（3）通过邮局或者银行汇款,更多缴纳方式

Q：专利转让变更，多久能出结果

A：著录项目变更请求书递交后，一般1-2个月左右就会收到通知，国家知识产权局会下达《转让手续合格通知书》。