IPC分类号 : H01L29/778; H01L29/417; H01L29/10; H01L21/336
专利摘要
本发明提供了一种二维材料异质结场效应晶体管、其制备方法和晶体管阵列器件,该晶体管包括:导电衬底;设置在所述导电衬底上的绝缘介质层;分别设置在所述绝缘介质层两端的源电极和漏电极,在两者之间为沟道区;设置在所述源电极和与之相连的沟道区上的第一二维材料层;设置在所述漏电极和所述沟道区上部分第一二维材料层上的第二二维材料层;所述第一二维材料层与第二二维材料层的材质不同;所述第一二维材料层、第二二维材料层和源电极及漏电极能形成欧姆接触。本发明提供的这种晶体管具有良好的输出特性等性能,且成本低。本发明提供的这种晶体管的制备方法衬底利用率高、制备效率高,能避免蒸镀金属对二维材料的损伤,还可以制备阵列器件。
专利附图
一种二维材料异质结场效应晶体管、其制备方法和晶体管阵列器件专利购买费用说明
Q:办理专利转让的流程及所需资料
A:专利权人变更需要办理著录项目变更手续,有代理机构的,变更手续应当由代理机构办理。
1:专利变更应当使用专利局统一制作的“著录项目变更申报书”提出。
2:按规定缴纳著录项目变更手续费。
3:同时提交相关证明文件原件。
4:专利权转移的,变更后的专利权人委托新专利代理机构的,应当提交变更后的全体专利申请人签字或者盖章的委托书。
Q:专利著录项目变更费用如何缴交
A:(1)直接到国家知识产权局受理大厅收费窗口缴纳,(2)通过代办处缴纳,(3)通过邮局或者银行汇款,更多缴纳方式
Q:专利转让变更,多久能出结果
A:著录项目变更请求书递交后,一般1-2个月左右就会收到通知,国家知识产权局会下达《转让手续合格通知书》。
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