专利摘要

本发明公开了一种日盲紫外雪崩光电探测器及其制备方法，其中光电探测器的结构从下至上依次为AlN模板层、AlN缓冲层、n型Alx1Ga1‑x1N层、i型Alx2Ga1‑x2N吸收层、n型GeS分离层、i型Alx3Ga1‑x3N倍增层和p型GaN层；所述n型Alx1Ga1‑x1N层上引出有n型欧姆电极；所述p型GaN层上引出有p型欧姆电极；所述n型GeS分离层分别与i型Alx2Ga1‑x2N吸收层和i型Alx3Ga1‑x3N倍增层采用范德华力键合组合形成。本发明n型分离层采用二维材料GeS替代三维材料AlGaN与上下的i型AlGaN层通过范德华力进行键合在一起，而不是用化学外延生长方法，解决了现有技术中器件提前击穿、界面处产生极化电荷的问题，同时提高了雪崩光电探测器的响应速度。

专利附图

一种日盲紫外雪崩光电探测器及其制备方法专利购买费用说明

Q：办理专利转让的流程及所需资料

A：专利权人变更需要办理著录项目变更手续，有代理机构的，变更手续应当由代理机构办理。

1：专利变更应当使用专利局统一制作的“著录项目变更申报书”提出。

2：按规定缴纳著录项目变更手续费。

3：同时提交相关证明文件原件。

4：专利权转移的，变更后的专利权人委托新专利代理机构的，应当提交变更后的全体专利申请人签字或者盖章的委托书。

Q:专利著录项目变更费用如何缴交

A：（1）直接到国家知识产权局受理大厅收费窗口缴纳,（2）通过代办处缴纳，（3）通过邮局或者银行汇款,更多缴纳方式

Q：专利转让变更，多久能出结果

A：著录项目变更请求书递交后，一般1-2个月左右就会收到通知，国家知识产权局会下达《转让手续合格通知书》。