专利摘要

本发明涉及一种芯片内部电路断路缺陷的修复方法，包括如下步骤：步骤一，检测出芯片的缺陷位置及填充材料的种类与性能参数；步骤二，将所述芯片放置在二维运动平台上，对所述芯片进行定位，标定出芯片上的原点，设定二维运动平台的速度与位移参数；步骤三，根据所述填充材料的性能参数设置两束激光的参数；调节两束激光三维入射角度与Z轴的焦距，使得两束激光的聚焦点照射所述芯片的断路处的任一端，将该端的填充材料改性为石墨烯；步骤四，所述二维运动平台带动所述芯片移动，使两束所述激光的聚焦点移动到所述断路处的另一端，并使移动轨迹连通所述芯片的断路处的两端。本发明能更加方便焊接电路内部的断路。

专利附图

一种芯片内部电路断路缺陷的修复方法及装置专利购买费用说明

Q：办理专利转让的流程及所需资料

A：专利权人变更需要办理著录项目变更手续，有代理机构的，变更手续应当由代理机构办理。

1：专利变更应当使用专利局统一制作的“著录项目变更申报书”提出。

2：按规定缴纳著录项目变更手续费。

3：同时提交相关证明文件原件。

4：专利权转移的，变更后的专利权人委托新专利代理机构的，应当提交变更后的全体专利申请人签字或者盖章的委托书。

Q:专利著录项目变更费用如何缴交

A：（1）直接到国家知识产权局受理大厅收费窗口缴纳,（2）通过代办处缴纳，（3）通过邮局或者银行汇款,更多缴纳方式

Q：专利转让变更，多久能出结果

A：著录项目变更请求书递交后，一般1-2个月左右就会收到通知，国家知识产权局会下达《转让手续合格通知书》。