专利摘要
本发明公开了一种二氧化钛/二氧化硅一维光子晶体及其制备方法。该一维光子晶体是由二氧化钛薄膜和二氧化硅薄膜构成的多层膜结构，该一维光子晶体光子禁带中心波长可在380‑800纳米之间任意调节，禁带中心波长的反射率最高可达99％。该一维光子晶体是通过旋涂在衬底上制备含钛前驱体薄膜后通过热处理获得二氧化钛薄膜；再于二氧化钛薄膜表面通过旋涂和热处理获得含硅前驱体薄膜而获得交替的二氧化钛/二氧化硅多层膜结构。本发明通过改变前驱体的化学结构、浓度及旋涂转速可以容易地获得不同厚度的薄膜，从而调控其光子禁带中心波长。本发明可廉价、高效地制备二氧化钛、二氧化硅薄膜以及二氧化钛/二氧化硅一维光子晶体。
专利附图
一种二氧化钛/二氧化硅一维光子晶体及其制备方法专利购买费用说明
Q：办理专利转让的流程及所需资料
A：专利权人变更需要办理著录项目变更手续，有代理机构的，变更手续应当由代理机构办理。
1：专利变更应当使用专利局统一制作的“著录项目变更申报书”提出。
2：按规定缴纳著录项目变更手续费。
3：同时提交相关证明文件原件。
4：专利权转移的，变更后的专利权人委托新专利代理机构的，应当提交变更后的全体专利申请人签字或者盖章的委托书。
Q:专利著录项目变更费用如何缴交
A：（1）直接到国家知识产权局受理大厅收费窗口缴纳,（2）通过代办处缴纳，（3）通过邮局或者银行汇款,更多缴纳方式
Q：专利转让变更，多久能出结果
A：著录项目变更请求书递交后，一般1-2个月左右就会收到通知，国家知识产权局会下达《转让手续合格通知书》。
动态评分
0.0