专利摘要

本发明公开了一种NAND参考电压测量方法、系统、设备及存储介质，其中该方法包括：获取NAND每个重叠区的电压偏移间隔及每个电压偏移间隔对应的初始参考电压；对于任一个重叠区，获取重叠区每个电压区间内单元的数量，电压区间的宽度为预设数量的电压偏移间隔的宽度；根据单元的数量及初始参考电压确定重叠区的目标参考电压；实现了对NAND持久性噪声影响下的重叠区的电压进行准确测量，与现有技术相比，在一定程度上解决了如何解决持久性噪声干扰对NAND参考电压的影响的技术问题。本发明公开的一种NAND参考电压测量系统、设备及计算机可读存储介质也解决了相应技术问题。

专利附图

一种NAND参考电压测量方法、系统、设备及存储介质专利购买费用说明

Q：办理专利转让的流程及所需资料

A：专利权人变更需要办理著录项目变更手续，有代理机构的，变更手续应当由代理机构办理。

1：专利变更应当使用专利局统一制作的“著录项目变更申报书”提出。

2：按规定缴纳著录项目变更手续费。

3：同时提交相关证明文件原件。

4：专利权转移的，变更后的专利权人委托新专利代理机构的，应当提交变更后的全体专利申请人签字或者盖章的委托书。

Q:专利著录项目变更费用如何缴交

A：（1）直接到国家知识产权局受理大厅收费窗口缴纳,（2）通过代办处缴纳，（3）通过邮局或者银行汇款,更多缴纳方式

Q：专利转让变更，多久能出结果

A：著录项目变更请求书递交后，一般1-2个月左右就会收到通知，国家知识产权局会下达《转让手续合格通知书》。