专利摘要

本发明涉及一种制备具有室温宽频大磁电容效应的铁氧体外延薄膜的方法，包括步骤：(1)制备以AFe12‑xMxO19表示组成的铁氧体，其中A为Ba元素或Sr元素中的至少一种，M为Sc元素、Mg元素或Cr元素中的至少一种，x是M的含量：0＜x≤4；(2)在真空背景下，利用脉冲激光对铁氧体进行轰击，将轰击出来的铁氧体材料沉淀在基片上，在基片上生长铁氧体外延薄膜，其中，所述基片为单晶Si基片、Si/Pt基片、单晶Al2O3基片和单晶SrTiO3基片中的一种；(3)在铁氧体外延薄膜生长完后进行降温处理；(4)对铁氧体外延薄膜进行后退火处理。本发明制备的铁氧体外延薄膜具有室温宽频大磁电容效应，弥补了现有单相磁电容薄膜材料室温磁电容效应弱和频率范围窄的缺点。

专利附图

制备具有室温宽频大磁电容效应的铁氧体外延薄膜的方法专利购买费用说明

Q：办理专利转让的流程及所需资料

A：专利权人变更需要办理著录项目变更手续，有代理机构的，变更手续应当由代理机构办理。

1：专利变更应当使用专利局统一制作的“著录项目变更申报书”提出。

2：按规定缴纳著录项目变更手续费。

3：同时提交相关证明文件原件。

4：专利权转移的，变更后的专利权人委托新专利代理机构的，应当提交变更后的全体专利申请人签字或者盖章的委托书。

Q:专利著录项目变更费用如何缴交

A：（1）直接到国家知识产权局受理大厅收费窗口缴纳,（2）通过代办处缴纳，（3）通过邮局或者银行汇款,更多缴纳方式

Q：专利转让变更，多久能出结果

A：著录项目变更请求书递交后，一般1-2个月左右就会收到通知，国家知识产权局会下达《转让手续合格通知书》。