专利摘要

本发明涉及一种自封装碳阵列及其制备方法和应用，其制备方法包括以下步骤：碳化前驱体层上下表面分别设置激光透明材料和基体，然后采用内反射激光碳化技术，将激光光源从激光透明材料射向碳化前驱体层，调节激光入射的角度θ值，使激光照射于碳化前驱体层中的不同位置，与碳化前驱体上下表面贴合的基体和激光透明材料强化碳化过程中热量的扩散，从而得到自封装碳阵列；其中，激光透明材料的折射率高于碳化前驱体层。本发明的方法可高效地制备自封装碳阵列，碳阵列的尺寸、图案可实现自动化控制，碳阵列在可碳化高分子膜中的位置灵活可调，由本发明得到可便捷实现自封装碳阵列的图案化、多层化，借由本发明获得的碳阵列可用于压阻传感器。

专利附图

一种自封装碳阵列及其制备方法和应用专利购买费用说明

Q：办理专利转让的流程及所需资料

A：专利权人变更需要办理著录项目变更手续，有代理机构的，变更手续应当由代理机构办理。

1：专利变更应当使用专利局统一制作的“著录项目变更申报书”提出。

2：按规定缴纳著录项目变更手续费。

3：同时提交相关证明文件原件。

4：专利权转移的，变更后的专利权人委托新专利代理机构的，应当提交变更后的全体专利申请人签字或者盖章的委托书。

Q:专利著录项目变更费用如何缴交

A：（1）直接到国家知识产权局受理大厅收费窗口缴纳,（2）通过代办处缴纳，（3）通过邮局或者银行汇款,更多缴纳方式

Q：专利转让变更，多久能出结果

A：著录项目变更请求书递交后，一般1-2个月左右就会收到通知，国家知识产权局会下达《转让手续合格通知书》。