专利摘要
本发明涉及一种金纳米块阵列的制作方法及其折射率传感器的制备,涉及微纳尺度的制备及微纳光学,属光信息领域;提出了一种金纳米块阵列的制备方法,将负载了聚电解质层的金薄膜浸入含有所述金纳米块的去离子水溶液中;去离子水溶液中的金纳米块通过静电场引力吸附于所述聚电解质层表面,从而得到金纳米块阵列;实现了金纳米块的边长、金纳米块阵列的占空比、聚电解质层的厚度的可控加工;由于在制备过程未使用任何微纳加工或精密控制设备,制备成本相较其他方法要低;本方案制备的折射率传感器利用该结构激发等离子激元共振,利用峰位随背景折射率变化而出现明显移动实现了对环境折射率的传感探测,金材质的稳定性保证了该传感器的性能稳定。
专利附图
一种金纳米块阵列的制备方法及其折射率传感器专利购买费用说明
Q:办理专利转让的流程及所需资料
A:专利权人变更需要办理著录项目变更手续,有代理机构的,变更手续应当由代理机构办理。
1:专利变更应当使用专利局统一制作的“著录项目变更申报书”提出。
2:按规定缴纳著录项目变更手续费。
3:同时提交相关证明文件原件。
4:专利权转移的,变更后的专利权人委托新专利代理机构的,应当提交变更后的全体专利申请人签字或者盖章的委托书。
Q:专利著录项目变更费用如何缴交
A:(1)直接到国家知识产权局受理大厅收费窗口缴纳,(2)通过代办处缴纳,(3)通过邮局或者银行汇款,更多缴纳方式
Q:专利转让变更,多久能出结果
A:著录项目变更请求书递交后,一般1-2个月左右就会收到通知,国家知识产权局会下达《转让手续合格通知书》。
动态评分
0.0