IPC分类号 : G02B6/138,G02B6/136,G02B6/132,G02B6/122
专利摘要
本发明公开了一种具有保护层的SiO2沟道型硫系波导及其制备方法，解决了现有技术中SiO2沟道型波导制备中沟道侧壁粗糙的问题，其技术方案要点是，通过在Si/SiO2基片的SiO2的表层涂覆光刻胶作为掩膜层，再将具有掩膜层的Si/SiO2基片放入ICP刻蚀机内刻蚀SiO2沟道，通过通入氩气和三氟甲烷气体调节刻蚀精度，再在具有SiO2沟道的Si/SiO2基片上依次镀设As2Se3硫系薄膜和SU‑8聚合物，最后将掩膜层及其上方的As2Se3硫系薄膜和SU‑8聚合物从Si/SiO2基片上剥离得到波导，本发明公开的一种具有、保护层的SiO2沟道型硫系波导及其制备方法，通过控制氩气和三氟甲烷两种气体的配比来优化刻蚀参数，可将SiO2沟道侧壁的粗糙度降到最低，进而减小了波导侧壁的粗糙度。
一种具有保护层的SiO2沟道型硫系波导及其制备方法专利购买费用说明
Q：办理专利转让的流程及所需资料
A：专利权人变更需要办理著录项目变更手续，有代理机构的，变更手续应当由代理机构办理。
1：专利变更应当使用专利局统一制作的“著录项目变更申报书”提出。
2：按规定缴纳著录项目变更手续费。
3：同时提交相关证明文件原件。
4：专利权转移的，变更后的专利权人委托新专利代理机构的，应当提交变更后的全体专利申请人签字或者盖章的委托书。
Q:专利著录项目变更费用如何缴交
A：（1）直接到国家知识产权局受理大厅收费窗口缴纳,（2）通过代办处缴纳，（3）通过邮局或者银行汇款,更多缴纳方式
Q：专利转让变更，多久能出结果
A：著录项目变更请求书递交后，一般1-2个月左右就会收到通知，国家知识产权局会下达《转让手续合格通知书》。
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