专利摘要

本实用新型公开了一种防折断的半导体材料，包括半导体材料本体，所述半导体材料本体的表面设置有防折断层，所述防折断层的表面设置有缓冲层；所述防折断层包括聚甲醛塑料层。本实用新型通过设置防折断层、聚甲醛塑料层、聚乙烯塑料层、赛钢板塑料层、缓冲层、缓冲海绵层、缓冲橡胶层和缓冲硅胶层相互配合，达到了提高半导体材料防折断性能和缓冲性能的优点，使半导体材料在受到碰撞时，能够有效的提高半导体材料的强度，防止半导体材料出现碰撞折断，延长了半导体材料的使用寿命，同时能够有效的提高半导体材料的缓冲性能，防止半导体材料出现碰撞损坏，延长了半导体材料的使用寿命。

权利要求

1.一种防折断的半导体材料，包括半导体材料本体(1)，其特征在于：所述半导体材料本体(1)的表面设置有防折断层(2)，所述防折断层(2)的表面设置有缓冲层(3)；

所述防折断层(2)包括聚甲醛塑料层(21)，所述聚甲醛塑料层(21)的表面粘合连接有聚乙烯塑料层(22)，所述聚乙烯塑料层(22)的表面粘合连接有赛钢板塑料层(23)；

所述缓冲层(3)包括缓冲海绵层(31)，所述缓冲海绵层(31)的表面粘合连接有缓冲橡胶层(32)，所述缓冲橡胶层(32)的表面粘合连接有缓冲硅胶层(33)。

2.根据权利要求1所述的一种防折断的半导体材料，其特征在于：所述半导体材料本体(1)的底部固定连接有连接线(4)，所述连接线(4)的底部贯穿至缓冲层(3)的底部。

3.根据权利要求1所述的一种防折断的半导体材料，其特征在于：所述防折断层(2)内腔的长度宽度和高度大于半导体材料本体(1)的长度宽度和高度，所述缓冲层(3)内腔的长度宽度和高度大于防折断层(2)的长度宽度和高度。

4.根据权利要求1所述的一种防折断的半导体材料，其特征在于：所述聚甲醛塑料层(21)的内壁与半导体材料本体(1)的表面粘合连接，所述聚甲醛塑料层(21)、聚乙烯塑料层(22)和赛钢板塑料层(23)的厚度均相同。

5.根据权利要求1所述的一种防折断的半导体材料，其特征在于：所述缓冲海绵层(31)的内壁与赛钢板塑料层(23)的表面粘合连接，所述缓冲海绵层(31)、缓冲橡胶层(32)和缓冲硅胶层(33)的厚度均相同。

说明书

技术领域

本实用新型涉及半导体材料技术领域，具体为一种防折断的半导体材料。

背景技术

半导体指常温下导电性能介于导体与绝缘体之间的材料，半导体在集成电路、消费电子、通信系统、光伏发电、照明应用、大功率电源转换等领域应用，如二极管就是采用半导体制作的器件，无论从科技或是经济发展的角度来看，半导体的重要性都是非常巨大的，今日大部分的电子产品，如计算机、移动电话或是数字录音机当中的核心单元都和半导体有着极为密切的关联，常见的半导体材料有硅、锗、砷化镓等，而硅更是各种半导体材料中，在商业应用上最具有影响力的一种。

在电子元件中，需要用到半导体材料，目前现有的半导体材料有以下缺点：现有的半导体材料不具有防折断的功能，导致半导体材料在受到碰撞时，容易出现碰撞折断，造成半导体材料出现损坏，缩短了半导体材料的使用寿命，同时半导体材料的缓冲性能较差，导致半导体材料在受到碰撞时，容易出现碰撞损坏，缩短了半导体材料的使用寿命。

实用新型内容

(一)解决的技术问题

针对现有技术的不足，本实用新型提供了一种防折断的半导体材料，具备提高半导体材料防折断性能和缓冲性能的优点，解决了现有的半导体材料不具有防折断的功能，导致半导体材料在受到碰撞时，容易出现碰撞折断，造成半导体材料出现损坏，同时半导体材料的缓冲性能较差，导致半导体材料在受到碰撞时，容易出现碰撞损坏的问题。

(二)技术方案

为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：一种防折断的半导体材料，包括半导体材料本体，所述半导体材料本体的表面设置有防折断层，所述防折断层的表面设置有缓冲层；

所述防折断层包括聚甲醛塑料层，所述聚甲醛塑料层的表面粘合连接有聚乙烯塑料层，所述聚乙烯塑料层的表面粘合连接有赛钢板塑料层；

所述缓冲层包括缓冲海绵层，所述缓冲海绵层的表面粘合连接有缓冲橡胶层，所述缓冲橡胶层的表面粘合连接有缓冲硅胶层。

优选的，所述半导体材料本体的底部固定连接有连接线，所述连接线的底部贯穿至缓冲层的底部。

优选的，所述防折断层内腔的长度宽度和高度大于半导体材料本体的长度宽度和高度，所述缓冲层内腔的长度宽度和高度大于防折断层的长度宽度和高度。

优选的，所述聚甲醛塑料层的内壁与半导体材料本体的表面粘合连接，所述聚甲醛塑料层、聚乙烯塑料层和赛钢板塑料层的厚度均相同。

优选的，所述缓冲海绵层的内壁与赛钢板塑料层的表面粘合连接，所述缓冲海绵层、缓冲橡胶层和缓冲硅胶层的厚度均相同。

(三)有益效果

与现有技术相比，本实用新型提供了一种防折断的半导体材料，具备以下有益效果：

1、本实用新型通过设置防折断层、聚甲醛塑料层、聚乙烯塑料层、赛钢板塑料层、缓冲层、缓冲海绵层、缓冲橡胶层和缓冲硅胶层相互配合，达到了提高半导体材料防折断性能和缓冲性能的优点，使半导体材料在受到碰撞时，能够有效的提高半导体材料的强度，防止半导体材料出现碰撞折断，延长了半导体材料的使用寿命，同时能够有效的提高半导体材料的缓冲性能，防止半导体材料出现碰撞损坏，延长了半导体材料的使用寿命。

2、本实用新型通过设置防折断层，起到提高半导体材料本体强度的作用，能够有效的提高半导体材料本体的强度，防止半导体材料本体出现碰撞折断，延长了半导体材料本体的使用寿命，通过设置缓冲层，起到提高半导体材料本体缓冲性能的作用，能够有效的提高半导体材料本体的缓冲性能，防止半导体材料本体出现碰撞损坏，延长了半导体材料本体的使用寿命。

附图说明

图1为本实用新型结构示意图；

图2为本实用新型防折断层内部结构剖面放大图；

图3为本实用新型缓冲层内部结构剖面放大图。

图中：1、半导体材料本体；2、防折断层；21、聚甲醛塑料层；22、聚乙烯塑料层；23、赛钢板塑料层；3、缓冲层；31、缓冲海绵层；32、缓冲橡胶层；33、缓冲硅胶层；4、连接线。

具体实施方式

下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。

本实用新型的所有部件均为通用的标准部件或本领域技术人员知晓的部件，其结构和原理都为本领域技术人员均可通过技术手册得知或通过常规实验方法获知。

请参阅图1-3，一种防折断的半导体材料，包括半导体材料本体1，半导体材料本体1的表面设置有防折断层2，防折断层2的表面设置有缓冲层3；

防折断层2包括聚甲醛塑料层21，聚甲醛塑料层21的表面粘合连接有聚乙烯塑料层22，聚乙烯塑料层22的表面粘合连接有赛钢板塑料层23；

缓冲层3包括缓冲海绵层31，缓冲海绵层31的表面粘合连接有缓冲橡胶层32，缓冲橡胶层32的表面粘合连接有缓冲硅胶层33，半导体材料本体1的底部固定连接有连接线4，连接线4的底部贯穿至缓冲层3的底部，防折断层2内腔的长度宽度和高度大于半导体材料本体1的长度宽度和高度，缓冲层3内腔的长度宽度和高度大于防折断层2的长度宽度和高度，聚甲醛塑料层21的内壁与半导体材料本体1的表面粘合连接，聚甲醛塑料层21、聚乙烯塑料层22和赛钢板塑料层23的厚度均相同，缓冲海绵层31的内壁与赛钢板塑料层23的表面粘合连接，缓冲海绵层31、缓冲橡胶层32和缓冲硅胶层33的厚度均相同，通过设置防折断层2，起到提高半导体材料本体1强度的作用，能够有效的提高半导体材料本体1的强度，防止半导体材料本体1出现碰撞折断，延长了半导体材料本体1的使用寿命，通过设置缓冲层3，起到提高半导体材料本体1缓冲性能的作用，能够有效的提高半导体材料本体1的缓冲性能，防止半导体材料本体1出现碰撞损坏，延长了半导体材料本体1的使用寿命，通过设置防折断层2、聚甲醛塑料层21、聚乙烯塑料层22、赛钢板塑料层23、缓冲层3、缓冲海绵层31、缓冲橡胶层32和缓冲硅胶层33相互配合，达到了提高半导体材料防折断性能和缓冲性能的优点，使半导体材料在受到碰撞时，能够有效的提高半导体材料的强度，防止半导体材料出现碰撞折断，延长了半导体材料的使用寿命，同时能够有效的提高半导体材料的缓冲性能，防止半导体材料出现碰撞损坏，延长了半导体材料的使用寿命。

使用时，通过设置防折断层2、聚甲醛塑料层21、聚乙烯塑料层22和赛钢板塑料层23相互配合，起到提高半导体材料本体1强度的作用，能够有效的提高半导体材料本体1的强度，防止半导体材料本体1出现碰撞折断，延长了半导体材料本体1的使用寿命，通过设置缓冲层3、缓冲海绵层31、缓冲橡胶层32和缓冲硅胶层33相互配合，起到提高半导体材料本体1缓冲性能的作用，能够有效的提高半导体材料本体1的缓冲性能，防止半导体材料本体1出现碰撞损坏，延长了半导体材料本体1的使用寿命，从而达到了提高半导体材料防折断性能和缓冲性能的优点。

本申请文件中使用到的标准零件或材料均可以从市场上购买，本申请文件中各部件根据说明书和附图的记载均可以进行订制，各个材料层之间的具体连接关系和制作材料均为现有技术，在此不再作出具体叙述。

尽管已经示出和描述了本实用新型的实施例，对于本领域的普通技术人员而言，可以理解在不脱离本实用新型的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型，本实用新型的范围由所附权利要求及其等同物限定。

一种防折断的半导体材料专利购买费用说明

Q：办理专利转让的流程及所需资料

A：专利权人变更需要办理著录项目变更手续，有代理机构的，变更手续应当由代理机构办理。

1：专利变更应当使用专利局统一制作的“著录项目变更申报书”提出。

2：按规定缴纳著录项目变更手续费。

3：同时提交相关证明文件原件。

4：专利权转移的，变更后的专利权人委托新专利代理机构的，应当提交变更后的全体专利申请人签字或者盖章的委托书。

Q:专利著录项目变更费用如何缴交

A：（1）直接到国家知识产权局受理大厅收费窗口缴纳,（2）通过代办处缴纳，（3）通过邮局或者银行汇款,更多缴纳方式

Q：专利转让变更，多久能出结果

A：著录项目变更请求书递交后，一般1-2个月左右就会收到通知，国家知识产权局会下达《转让手续合格通知书》。