专利摘要

本实用新型公开了一种带有蒸发皿组件的实验装置，涉及教学技术领域，包括包括底座、立杆、支块，底座水平置于实验台上；还包括电箱，电箱内固定有开关、变压器、整流器、滤波器；电箱内腔、第一横杆内腔、第一环架内腔依次连通；电箱内腔、第二横杆内腔、第二环架内腔依次连通；还包括冷热条，第一半导体与第二半导体顶端通过第一导体锡焊连接；第二半导体与第三半导体底端通过第二导体锡焊连接；冷热条在第一环架与第二环架围成的锥面上等间距阵列分布。制冷端维持蒸发皿碗口处的低温，操作人员可裸手抓取蒸发皿13外边缘取下，省去了坩埚钳夹取的弊端；冷热条温度是从室温开始逐渐改变的，避免了温度骤变引起的炸裂，也就不需要预热操作。

权利要求

1.一种带有蒸发皿组件的实验装置，包括底座（1）、立杆（2）、支块（3），底座（1）水平置于实验台上；立杆（2）通过螺纹连接固定在底座（1）上表面一侧；支块（3）上开有通孔，所述通孔与立杆（2）间隙配合，并能够通过径向螺栓紧固，其特征在于：

还包括电箱（4），所述电箱（4）通过螺钉连接固定在支块（3）背部，电箱内固定有开关（4.1）、变压器（4.2）、整流器（4.3）、滤波器（4.4），所述开关（4.1）、变压器（4.2）、整流器（4.3）、滤波器（4.4）依次通过导线连接；所述电箱（4）侧面中间位置开有通孔，开关（4.1）触点从通孔中伸出；所述电箱（4）侧面底部开有通孔，电源线（5）穿过通孔与开关（4.1）相连；

电箱（4）上部安装有两根第一横杆（6），第一横杆（6）穿过支块（3）与第一环架（8）连接；第一横杆（6）为空心柱状结构，第一环架（8）为空心环状结构，第一环架（8）内部穿有第一环导线（8.1）；电箱（4）内腔、第一横杆（6）内腔、第一环架（8）内腔依次连通；电箱（4）下部安装有两根第二横杆（7），第二横杆（7）穿过支块（3）与第二环架（9）连接；第二横杆（7）为空心柱状结构，第二环架（9）为空心环状结构，第二环架（9）内部穿有第二环导线（9.1）；电箱（4）内腔、第二横杆（7）内腔、第二环架（9）内腔依次连通；

还包括冷热条（10），所述冷热条（10）包括第一半导体（10.1）、第二半导体（10.2）、第三半导体（10.3），第一半导体（10.1）、第二半导体（10.2）、第三半导体（10.3）从左至右依次排列；第一半导体（10.1）与第二半导体（10.2）顶端通过第一导体（10.4.1）锡焊连接；第二半导体（10.2）与第三半导体（10.3）底端通过第二导体（10.4.2）锡焊连接；第三半导体（10.3）顶端与第三导体（10.4.3）锡焊连接，第三导体（10.4.3）呈S状，第三导体（10.4.3）接点位于冷热条（10）顶端中心位置，且接点与第一螺旋导线（11）连接；第一半导体（10.1）底端与第四导体（10.4.4）锡焊连接，第四导体（10.4.4）呈S状，第四导体（10.4.4）接点位于冷热条（10）底端中心位置；所述冷热条（10）通过填充剂（10.5）填充缝隙并包裹为宽条状；

所述冷热条（10）、第一螺旋导线（11）、第二螺旋导线（12）均有八根，在第一环架（8）与第二环架（9）围成的锥面上等间距阵列分布；第一环架（8）上开有八个通孔，第一螺旋导线（11）穿过通孔与第一环导线（8.1）连接；所述第一环导线（8.1）穿过第一横杆（6）内腔与滤波器（4.4）输出负极连接；第二环架（9）上开有八个通孔，第二螺旋导线（12）穿过通孔与第二环导线（9.1）连接；所述第二环导线（9.1）穿过第二横杆（7）内腔与滤波器（4.4）输出正极连接。

2.根据权利要求1所述的带有蒸发皿组件的实验装置 ，其特征在于：所述第一半导体（10.1）、第三半导体（10.3）均为N型半导体；第二半导体（10.2）为P型半导体。

3.根据权利要求1所述的带有蒸发皿组件的实验装置 ，其特征在于：所述第一导体（10.4.1）、第二导体（10.4.2）、第三导体（10.4.3）、第四导体（10.4.4）均为铜材料。

4.根据权利要求1所述的带有蒸发皿组件的实验装置 ，其特征在于：所述填充剂（10.5）为泡沫陶瓷。

5.根据权利要求1所述的带有蒸发皿组件的实验装置 ，其特征在于：所述第一螺旋导线（11）与第二螺旋导线（12）的绝缘层为聚酰亚胺复合玻璃布。

说明书

技术领域

本实用新型涉及教育技术领域，具体为一种带有蒸发皿组件的实验装置。

背景技术

蒸发皿属于化学教学实验中的常用器皿，现有蒸发皿大多采用石棉网隔离的酒精灯加热，利用升温进行加速蒸发，因此蒸发皿的核心在于升高温度与增大增发面积。而酒精灯加热蒸发皿，需要多次预热以防止炸裂，还需要使用坩埚钳夹取蒸发皿防止烫伤，不仅操作复杂，而且危险系数较高。

实用新型内容

为了克服上述背景技术中蒸发皿防炸裂操作复杂、夹取操作复杂的缺陷，本实用新型提供了一种带有蒸发皿组件的实验装置。

本实用新型解决上述不足之处所采用的技术方案是：

一种带有蒸发皿组件的实验装置，包括底座、立杆、支块，底座水平置于实验台上；立杆通过螺纹连接固定在底座上表面一侧；支块上开有通孔，所述通孔与立杆间隙配合，并能够通过径向螺栓紧固。

还包括电箱，所述电箱通过螺钉连接固定在支块背部，电箱内固定有开关、变压器、整流器、滤波器，所述开关、变压器、整流器、滤波器依次通过导线连接；所述电箱侧面中间位置开有通孔，开关触点从通孔中伸出；所述电箱侧面底部开有通孔，电源线穿过通孔与开关相连。

电箱上部安装有两根第一横杆，第一横杆穿过支块与第一环架连接；第一横杆为空心柱状结构，第一环架为空心环状结构，第一环架内部穿有第一环导线；电箱内腔、第一横杆内腔、第一环架内腔依次连通；电箱下部安装有两根第二横杆，第二横杆穿过支块与第二环架连接；第二横杆为空心柱状结构，第二环架为空心环状结构，第二环架内部穿有第二环导线；电箱内腔、第二横杆内腔、第二环架内腔依次连通。

还包括冷热条，所述冷热条包括第一半导体、第二半导体、第三半导体，第一半导体、第二半导体、第三半导体从左至右依次排列；第一半导体与第二半导体顶端通过第一导体锡焊连接；第二半导体与第三半导体底端通过第二导体锡焊连接；第三半导体顶端与第三导体锡焊连接，第三导体呈S状，第三导体接点位于冷热条顶端中心位置，且接点与第一螺旋导线连接；第一半导体底端与第四导体锡焊连接，第四导体呈S状，第四导体接点位于冷热条底端中心位置；所述冷热条通过填充剂填充缝隙并包裹为宽条状。

所述冷热条、第一螺旋导线、第二螺旋导线均有八根，在第一环架与第二环架围成的锥面上等间距阵列分布；第一环架上开有八个通孔，第一螺旋导线穿过通孔与第一环导线连接；所述第一环导线穿过第一横杆内腔与滤波器输出负极连接；第二环架上开有八个通孔，第二螺旋导线穿过通孔与第二环导线连接；所述第二环导线穿过第二横杆内腔与滤波器输出正极连接。

所述第一半导体、第三半导体均为N型半导体，优选为Bi2Te3—Bi2Se3材料；第二半导体为P型半导体，优选为Bi2Te3—Sb2Te3材料。

所述第一导体、第二导体、第三导体、第四导体均为铜材料。

所述填充剂为泡沫陶瓷。

所述第一螺旋导线与第二螺旋导线的绝缘层为聚酰亚胺复合玻璃布。

本实用新型的有益之处在于：一种带有蒸发皿组件的实验装置，通过电箱将实验室交流电转化为直流电，并将直流电通入冷热条，冷热条上端制冷，下端制热，制热部分用于加热蒸发皿底端与蒸发皿内的溶液，制冷部分用于维持蒸发皿碗口部分的低温，由于制冷制热均为渐变式，不通过预热即可实验；由于碗口可以维持低温，实验后可直接裸手抓取蒸发皿外边缘，取下蒸发皿，省去了用坩埚钳夹取的危险操作。

附图说明

下面结合附图对本申请进一步说明：

图1为本实用新型的整体结构示意图；

图2为第一环架俯视图；

图3为蒸发皿安装示意图；

图4为冷热条主视图；

图5为冷热条结构剖面图；

图6为电箱结构示意图；

图7为电箱电路结构原理框图；

图中：1-底座，2-立杆，3-支块，4-电箱，4.1开关，4.2-变压器，4.3-整流器，4.4-滤波器，5-电源线，6-第一横杆，7-第二横杆，8-第一环架，8.1-第一环导线，9-第二环架，9.1-第二环导线，10-冷热条，10.1-第一半导体，10.2-第二半导体，10.3-第三半导体，10.4.1-第一导体，10.4.2-第二导体，10.4.3-第三导体，10.4.4-第四导体，10.5-填充剂，11-第一螺旋导线，12-第二螺旋导线，13-蒸发皿。

具体实施方式

依据本实用新型的上述结构特点，对本实用新型的实施方式做进一步说明：

参照图1～7，本实施例提供一种带有蒸发皿组件的实验装置，包括底座1、立杆2、支块3，底座1水平置于实验台上；立杆2通过螺纹连接固定在底座1上表面一侧；支块3上开有通孔，所述通孔与立杆2间隙配合，并能够通过径向螺栓紧固，以改变与固定蒸发皿13的高度，此为传统的蒸发皿13的支架结构。

还包括电箱4，所述电箱4通过螺钉连接固定在支块3背部，电箱内固定有开关4.1、变压器4.2、整流器4.3、滤波器4.4，所述开关4.1、变压器4.2、整流器4.3、滤波器4.4依次通过导线连接；所述电箱4侧面中间位置开有通孔，开关4.1触点从通孔中伸出；所述电箱4侧面底部开有通孔，电源线5穿过通孔与开关4.1相连。电箱4的作用为将实验室插座的交流电转化为稳定的直流电。

电箱4上部安装有两根第一横杆6，第一横杆6穿过支块3与第一环架8连接；第一横杆6为空心柱状结构，第一环架8为空心环状结构，第一环架8内部穿有第一环导线8.1；电箱4内腔、第一横杆6内腔、第一环架8内腔依次连通；电箱4下部安装有两根第二横杆7，第二横杆7穿过支块3与第二环架9连接；第二横杆7为空心柱状结构，第二环架9为空心环状结构，第二环架9内部穿有第二环导线9.1；电箱4内腔、第二横杆7内腔、第二环架9内腔依次连通。此结构中第一横杆6、第二横杆7、第一环架8、第二环架9的空心结构用于内部架设导线，形成通路，将电箱4中的直流电输送至冷热条。

还包括冷热条10，所述冷热条10包括第一半导体10.1、第二半导体10.2、第三半导体10.3，第一半导体10.1、第二半导体10.2、第三半导体10.3从左至右依次排列；第一半导体10.1与第二半导体10.2顶端通过第一导体10.4.1锡焊连接；第二半导体10.2与第三半导体10.3底端通过第二导体10.4.2锡焊连接；第三半导体10.3顶端与第三导体10.4.3锡焊连接，第三导体10.4.3呈S状，第三导体10.4.3接点位于冷热条10顶端中心位置，且接点与第一螺旋导线11连接；第一半导体10.1底端与第四导体10.4.4锡焊连接，第四导体10.4.4呈S状，第四导体10.4.4接点位于冷热条10底端中心位置；所述冷热条10通过填充剂10.5填充缝隙并包裹为宽条状。所述冷热条10、第一螺旋导线11、第二螺旋导线12均有八根，在第一环架8与第二环架9围成的锥面上等间距阵列分布；第一环架8上开有八个通孔，第一螺旋导线11穿过通孔与第一环导线8.1连接；所述第一环导线8.1穿过第一横杆6内腔与滤波器4.4输出负极连接；第二环架9上开有八个通孔，第二螺旋导线12穿过通孔与第二环导线9.1连接；所述第二环导线9.1穿过第二横杆7内腔与滤波器4.4输出正极连接。

所述第一半导体10.1、第三半导体10.3均为N型半导体，优选为Bi2Te3—Bi2Se3材料；第二半导体10.2为P型半导体，优选为Bi2Te3—Sb2Te3材料。

所述第一导体10.4.1、第二导体10.4.2、第三导体10.4.3、第四导体10.4.4均为铜材料。铜材料具有优良的导热性能与力学性能。

所述填充剂10.5为泡沫陶瓷。由于填充剂10.5在冷热条10中兼顾填充支持、抗拉、绝缘的功能，因此选用泡沫陶瓷材料。

所述第一螺旋导线11、第二螺旋导线12与冷热条10、蒸发皿13接触，因此需要采用耐热优良的绝缘材料，绝缘层选用聚酰亚胺复合玻璃布。

珀尔帖效应（Peltier Effect）：又称为热电第二效应，是指当电流通过两种导体/半导体组成的接触点时，除了因为电流流经电路而产生的焦耳热之外，还会在接触点产生吸热和放热的效应，它是塞贝克效应的逆反应。即两种不同的金属构成闭合回路，当回路中存在直流电时，两个接头之间将产生温差。

使用时，操作人员先将蒸发皿13内装盛液体，然后将电源线顶端的插头插入实验室插座，打开开关4.4；交流电流经变压器4.2，降低电压；流经整流器4.3，所有电流取正值；流经滤波器，电流稳定下来，变为稳定的直流电；直流电流经八个冷热条10，冷热条10顶端的热量向底端转移，形成顶端制冷、底端制热的状态，八个冷热条10的制热端用于加热蒸发皿13及内部的液体，八个冷热条10的制冷端用于维持蒸发皿13碗口处的低温，蒸发过后，操作人员可裸手抓取蒸发皿13外边缘取下（若为腐蚀性液体可佩带手套），省去了坩埚钳夹取的弊端；由于冷热条10从通电到达到最大功率这个过程中，温度是从室温开始逐渐改变的，因此避免了温度骤变引起的炸裂，也就不需要预热操作。

综上所述，对于本领域的技术人员，依据本实用新型的指导，在不脱离本实用新型的原理与精神的前提下，对本实用新型所做的改变、修改、替换、变形仍落入本实用新型的保护范围内。

一种带有蒸发皿组件的实验装置专利购买费用说明

Q：办理专利转让的流程及所需资料

A：专利权人变更需要办理著录项目变更手续，有代理机构的，变更手续应当由代理机构办理。

1：专利变更应当使用专利局统一制作的“著录项目变更申报书”提出。

2：按规定缴纳著录项目变更手续费。

3：同时提交相关证明文件原件。

4：专利权转移的，变更后的专利权人委托新专利代理机构的，应当提交变更后的全体专利申请人签字或者盖章的委托书。

Q:专利著录项目变更费用如何缴交

A：（1）直接到国家知识产权局受理大厅收费窗口缴纳,（2）通过代办处缴纳，（3）通过邮局或者银行汇款,更多缴纳方式

Q：专利转让变更，多久能出结果

A：著录项目变更请求书递交后，一般1-2个月左右就会收到通知，国家知识产权局会下达《转让手续合格通知书》。